FQA10N80C

FQA10N80C. C(inch): 2150pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 730 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 6.32A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: FQA10N80C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 240W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.93 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 44nC). G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/01/2025, 04:25.