N-kanaaltransistor, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V - FGA60N65SMD

N-kanaaltransistor, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V - FGA60N65SMD. N-kanaaltransistor, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 650V. C(inch): 2915pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 47ms. Collectorstroom: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 600W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 104 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: Field Stop IGBT . Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.9V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Zonne-omvormer, UPS, Lasstation, PFC, Telecom, ESS. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 21/04/2025, 01:25.