Transistoren

BE-weerstand: 260 Ohms. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Vebo: 5V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Functie: hFE 60...230, geïsoleerde kunststof behuizing. Spec info: valtijd 0,8us. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BU941ZP. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 350V. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 155W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. Type transistor: NPN. Vcbo: 500V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Let op: >300. Aantal per doos: 1

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: valtijd 625ns. Maximale hFE-versterking: 3400. Minimale hFE-versterking: 500. Collectorstroom: 10A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Aantal per doos: 1. Spec info: 360-450V Clamping

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Aantal per doos: 1. Spec info: HV-POWER

Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Collectorstroom: 30A. Ic(puls): 60A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: High Voltage Multi Epitaxial Planar-technologie . Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.05us. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Vebo: 7V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Snel schakelende hoogspanningstransistor

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 14. Minimale hFE-versterking: 7. Collectorstroom: 14A. Ic(puls): 18A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 220 ns. Tf(min): 110 ns. Behuizing: ISOWATT218FX. Behuizing (volgens datablad): TO-218-ISO. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Vebo: 10V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: hi-res, monitor 19. Spec info: Icmax--18A <5mS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Snel schakelende hoogspanningstransistor. Maximale hFE-versterking: 14. Minimale hFE-versterking: 5. Collectorstroom: 16A. Ic(puls): 22A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 210 ns. Tf(min): 110 ns. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-218 ( SOT93 ). Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Vebo: 10V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Icm.22A <5ms

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge resolutie . Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Spec info: MONITOR

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Hoge resolutie . Maximale hFE-versterking: 9. Minimale hFE-versterking: 2.5. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 12A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 44W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Behuizing: ISOWATT218FX. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Vebo: 10V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: MONITOR

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge resolutie . Maximale hFE-versterking: 6. Minimale hFE-versterking: 4. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Tf (type): 190 ns. Behuizing: ISOWATT218. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Vebo: 10V. Aantal per doos: 1. Spec info: MONITOR. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge resolutie . Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 57W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Let op: MONITOR. Aantal per doos: 1. Spec info: Ts 2.1/3.1us

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 13.5A. Idss (max): 13.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.12 Ohms. Technologie: V-MOS. Spanning Vds(max): 50V. Aantal per doos: 1

C(inch): 750pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Power MOSFET SMPS. Id(imp): 16A. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 20uA. ID s (min): 2uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.1 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 10 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2230pF. Kosten): 510pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 62 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 347A. Binnendiameter (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 0.05uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 166W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 84 ns. Td(aan): 18 ns. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-404. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Aan-weerstand Rds Aan: 0.009 Ohms. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1200pF. Kosten): 290pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 217A. Binnendiameter (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 54A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 0.05uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 118W. Aan-weerstand Rds Aan: 17m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 70 ns. Td(aan): 15 ns. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-404. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 440pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 81A. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 0.05uA. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 28 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): SOT-78 ( TO220AB ). Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Aan-weerstand Rds Aan: 0.064 Ohms. Functie: Automobiel, stroomschakeling, 12V- en 24V-motor. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 32. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 4A. Ic(puls): 8A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Tf (type): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. Functie: hoogspanning, snel schakelend. Spec info: TO-220. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 4A. Ic(puls): 6A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Vebo: 9V. Functie: hoogspanning snel schakelend, voor het schakelen van voedingen. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Maximale hFE-versterking: 14. Minimale hFE-versterking: 6. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 10A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 150us. Tf(min): 80us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 500V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen voor schakelende voedingen

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 13.5. Minimale hFE-versterking: 8:1. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 10A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Vcbo: 1150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 500V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: SMPS S-L. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 10A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 0.8us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 800V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Vebo: 9V. Aantal per doos: 1. Spec info: Snel schakelen

Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle commutatie voor schakelende voeding. Maximale hFE-versterking: 10. Minimale hFE-versterking: 4. Collectorstroom: 4A. Ic(puls): 8A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 50 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 850V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.13V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: SMPS S-L. Collectorstroom: 7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Aantal per doos: 1. Spec info: Snel schakelen

Kosten): 50pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 12 MHz. Functie: SMPS S-L. Maximale hFE-versterking: 34. Minimale hFE-versterking: 14. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO220AB CASE 221A-09. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 9V. Aantal per doos: 1. Spec info: Snel schakelen. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS