BUZ77B

BUZ77B. C(inch): 460pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 350 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. Binnendiameter (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 8 ns. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Aantal per doos: 1. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/01/2025, 12:25.