Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 4 | 2.18€ | 2.64€ |
5 - 9 | 2.07€ | 2.50€ |
10 - 24 | 1.96€ | 2.37€ |
25 - 49 | 1.86€ | 2.25€ |
50 - 51 | 1.70€ | 2.06€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.18€ | 2.64€ |
5 - 9 | 2.07€ | 2.50€ |
10 - 24 | 1.96€ | 2.37€ |
25 - 49 | 1.86€ | 2.25€ |
50 - 51 | 1.70€ | 2.06€ |
BUL45GD2G. Kosten): 50pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 13 MHz. Functie: Hoge snelheid, hoge versterking, bipolaire NPN-vermogenstransistor. Maximale hFE-versterking: 34. Minimale hFE-versterking: 22. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO220AB CASE 221A-09. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.28V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 12V. Aantal per doos: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/01/2025, 13:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.