Transistoren

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L TV-HA. Collectorstroom: 12A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Type transistor: NPN. Vcbo: 850V. Collector-emitterspanning Vceo: 375V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L TV-HA. Collectorstroom: 12A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Type transistor: NPN. Vcbo: 900V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L TV-SN. Collectorstroom: 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Type transistor: NPN. Vcbo: 800V. Collector-emitterspanning Vceo: 375V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA/Monitor. Collectorstroom: 8A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): SOT-399. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA/Monitor. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOT-199. Behuizing (volgens datablad): SOT-199. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA/Monitor. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): SOT-399. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA/Monitor. Maximale hFE-versterking: 7.3. Minimale hFE-versterking: 4.2. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 300 ns. Behuizing: SOT-199. Behuizing (volgens datablad): SOT-199. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Vebo: 13.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Rbe 25 Ohms

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV/Monitor. Collectorstroom: 12A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 55W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): SOT-399. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Spec info: CTV-HA (geïsoleerd). Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV/Monitor. Collectorstroom: 16A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Behuizing: SOT-430. Behuizing (volgens datablad): SOT-430. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Spec info: CTV-HA

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA. Collectorstroom: 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 2.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 2.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA SMPS. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Spec info: TO-220AB. Let op: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: SMPS (F). Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Spec info: TO-220F (SOT186)

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-218. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-199. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BU508AF. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 700V. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 34W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 34W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1

Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 1500V. Collectorstroom: 8A. Vermogen: 125W. Behuizing: TO-247

Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 34W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ISOWATT-218. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BU508DFI. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 700V. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 7 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-SN. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Collector-emitterspanning Vceo: 480V. Aantal per doos: 1

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 330V/200V. Collectorstroom Ic [A], max.: 7A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 90W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 330V/ 200V. Collectorstroom Ic [A], max.: 7A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 90W

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Darlington-transistor, Hoge spanning en snel schakelen. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Vebo: 6V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FH. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Spec info: TO-220FH

BE-weerstand: 42 Ohms. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Maximale hFE-versterking: 230. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 10A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218FX. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Vebo: 5V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)