Transistoren

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 90 MHz. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1

Kosten): 5.5pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 90 MHz. Functie: VID-L. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 300mA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 45 MHz. Functie: VID-L. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 45 MHz. Functie: VID-L. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Collectorstroom: 0.03A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BF471. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 50mA. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: VHF/UHF-V. Collectorstroom: 50mA. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Collectorstroom: 0.05A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. Spec info: TO-93

Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -250V. Collectorstroom: -0.5A. Vermogen: 0.8W. Behuizing: TO-92

Kosten): 1.6pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 350V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Vebo: 6V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 550 MHz. Functie: VHF-V. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 30mA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 35V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

C(inch): 1.7pF. Kosten): 0.8pF. Kanaaltype: N. Type transistor: JFET. Functie: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 6.5mA. ID s (min): 2mA. IGF: 10mA. Markering op de kast: 20*. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2mA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Silicium-junctie-veldeffecttransistor. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 2.2V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.4V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1.7pF. Kosten): 0.8pF. Kanaaltype: N. Type transistor: JFET. Functie: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 15mA. ID s (min): 6mA. IGF: 10mA. Markering op de kast: 21*. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 6mA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Silicium-junctie-veldeffecttransistor. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 3.8V. Poort/bronspanning (uit) min.: 1.6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1.7pF. Kosten): 0.8pF. Kanaaltype: N. Type transistor: JFET. Functie: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. Idss (max): 25mA. ID s (min): 12mA. IGF: 10mA. Markering op de kast: 22*. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 12mA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Silicium-junctie-veldeffecttransistor. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 7.8V. Poort/bronspanning (uit) min.: 3.2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 700 MHz. Functie: VHF-oscillator. Minimale hFE-versterking: 30. Collectorstroom: 25mA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-243. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: DA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 60 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-243. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: DB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 60 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 900 MHz. Functie: UHF-M/O. Collectorstroom: 0.03A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-39. Behuizing (volgens datablad): SOT-39. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 45 MHz. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: UHF-V M/O. Collectorstroom: 25mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.36W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 15V. Aantal per doos: 1

Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Minimale hFE-versterking: 50. Collectorstroom: 50mA. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: 1V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Aantal per doos: 1. Spec info: zeefdruk/SMD-code

Kosten): 1.6pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Minimale hFE-versterking: 50. Collectorstroom: 50mA. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: 1W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Aantal per doos: 1. Spec info: zeefdruk/SMD-code 1W. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-202. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 160V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.8W

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 90MHz. Collectorstroom: 50mA. Id(imp): 300mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 7W. RoHS: NINCS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Collector-emitterspanning Vceo: 275V. Vebo: 5V. Aantal per doos: 1