Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 9 | 0.26€ | 0.31€ |
10 - 24 | 0.25€ | 0.30€ |
25 - 49 | 0.24€ | 0.29€ |
50 - 99 | 0.23€ | 0.28€ |
100 - 192 | 0.20€ | 0.24€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.26€ | 0.31€ |
10 - 24 | 0.25€ | 0.30€ |
25 - 49 | 0.24€ | 0.29€ |
50 - 99 | 0.23€ | 0.28€ |
100 - 192 | 0.20€ | 0.24€ |
BF451. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 350 MHz. Functie: HF- en IF-trappen in radio-ontvangers. Maximale hFE-versterking: 90. Minimale hFE-versterking: 30. Collectorstroom: 25mA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/01/2025, 12:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.