Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 9 | 0.0860€ | 0.1041€ |
10 - 24 | 0.0817€ | 0.0989€ |
25 - 49 | 0.0774€ | 0.0937€ |
50 - 99 | 0.0731€ | 0.0885€ |
100 - 249 | 0.0688€ | 0.0832€ |
250 - 499 | 0.0645€ | 0.0780€ |
500 - 4023 | 0.0602€ | 0.0728€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.0860€ | 0.1041€ |
10 - 24 | 0.0817€ | 0.0989€ |
25 - 49 | 0.0774€ | 0.0937€ |
50 - 99 | 0.0731€ | 0.0885€ |
100 - 249 | 0.0688€ | 0.0832€ |
250 - 499 | 0.0645€ | 0.0780€ |
500 - 4023 | 0.0602€ | 0.0728€ |
BF199. Kosten): 3.5pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1100 MHz. Functie: TV-IF. Collectorstroom: 100mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55°C tot +150°C. Vcbo: 40V. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Vebo: 4 v. Weerstand B: NPN-transistor. BE-weerstand: RF-POWER. C(inch): 25V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 06:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.