Transistoren

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC549C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 250 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Kosten): 2.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 450. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 0.1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC560B. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Collectorstroom: 0.1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC560C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: TO-92. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): 9pF. Kosten): 3.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Collectorstroom: 0.1A. Ic(puls): +150°C. Equivalenten: BC550CG, BC550CBU. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-92 3L (Ammo Pack). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC560C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC556B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC546B

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC556B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 280 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Type transistor: PNP-transistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -65V. Collectorstroom: -0.1A. Vermogen: 0.5W. Behuizing: TO-92

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC546C

Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 220. Minimale hFE-versterking: 110. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo-Pak ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.08V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC547A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC557B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.65V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC547B

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC557B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 320 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Type transistor: PNP-transistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -50V. Collectorstroom: -0.2A. Vermogen: 0.5W. Behuizing: TO-92

Behuizing: TO-92. Weerstand B: PNP-transistor. BE-weerstand: -50V. C(inch): 10pF. Kosten): 3.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.65V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC547C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC557B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC557C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 320 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 450. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.08V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Functie: Schakelen en AF-versterker. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: C559A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: algemeen gebruik. Collectorstroom: 0.1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: hFE 200...450. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC550B

Kosten): 2.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 380. Collectorstroom: 100mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC550C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: TO-92. Weerstand B: ja. BE-diode: PNP-transistor. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-92. Kosten): TO-226AA. CE-diode: PCB-doorvoermontage. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): +150°C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC550C

C(inch): 50pF. Kosten): 7pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 110pF. Kosten): 9pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Productiedatum: 1997.04. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 800mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 50pF. Kosten): 7pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Collectorstroom: 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS