Transistoren

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC639. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC640

Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 800mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC640-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 50pF. Kosten): 7pF. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 800mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC640-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC639-16. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.83W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC639-16. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.83W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Collectorstroom: 1A. Vermogen: 0.8W. Maximale frequentie: 100MHz. Behuizing: TO-92

Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Collectorstroom: 1A. Vermogen: 0.8W. Maximale frequentie: 50MHz. Behuizing: TO-92

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC639. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC640-16. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

C(inch): 110pF. Kosten): 9pF. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 800mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC639-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC640. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: NF-TR. Collectorstroom: 0.5A. Markering op de kast: 5B. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 5B

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5B1. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Kosten): 5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80MHz. Functie: NF-TR. Maximale hFE-versterking: 600. Minimale hFE-versterking: 250. Collectorstroom: 0.5A. Ic(puls): 1A. Markering op de kast: 5C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 5C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 170 MHz. Functie: NF-TR. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 0.5A. Ic(puls): 1A. Markering op de kast: 6As. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6As

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: NF-TR. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 0.5A. Ic(puls): 1A. Markering op de kast: 6A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6A

Kosten): 3pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: NF-TR. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 160. Collectorstroom: 0.5A. Ic(puls): 1A. Markering op de kast: 6B. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23-3. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 6B. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 6B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 6B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Kosten): 10pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 170 MHz. Functie: NF-TR. Maximale hFE-versterking: 630. Minimale hFE-versterking: 250. Collectorstroom: 0.5A. Ic(puls): 1A. Markering op de kast: 6C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 6C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 6B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor