Transistoren

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Spec info: TO18

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: algemeen gebruik. Collectorstroom: 0.1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: hFE 420...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 100mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 5V

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 3000. Collectorstroom: 0.4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Spec info: complementaire transistor (paar) BC517

RoHS: ja. Componentfamilie: PNP Darlington-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC517. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200MHz. Minimale hFE-versterking: 30000. Collectorstroom: 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC516. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC517. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.2A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC517. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Collectorstroom: 1.2A. Behuizing: TO-92. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Collector-emitterspanning VCEO: 30V. Vermogen: 0.625W. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200MHz. Minimale hFE-versterking: 30000. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC516

Conditioneringseenheid: 2000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 220. Minimale hFE-versterking: 90. Collectorstroom: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.09V. Collector-emitterspanning Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC556A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: TO-92. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-92. Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 450. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.09V. Collector-emitterspanning Vceo: 65V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC556B. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Behuizing: TO-92. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC546B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 80V. Collectorstroom: 0.2A. Vermogen: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 65V. Collectorstroom: 0.1A. Vermogen: 0.5W. Behuizing: TO-92

Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 65V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 220. Minimale hFE-versterking: 90. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale planaire transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC557A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC547B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale planaire transistor . Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC557B

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC547B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: TO-92. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-92. Kosten): TO-226. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 270. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale planaire transistor . Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC557C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC547C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC547C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC547C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: algemeen gebruik. Collectorstroom: 0.1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Type transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Spec info: complementaire transistor (paar) BC558B

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC548B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC548C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v