Hoeveelheid (Set van 10) | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 1 | 0.97€ | 1.17€ |
2 - 2 | 0.92€ | 1.11€ |
3 - 4 | 0.87€ | 1.05€ |
5 - 9 | 0.82€ | 0.99€ |
10 - 11 | 0.78€ | 0.94€ |
Hoeveelheid (Set van 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.97€ | 1.17€ |
2 - 2 | 0.92€ | 1.11€ |
3 - 4 | 0.87€ | 1.05€ |
5 - 9 | 0.82€ | 0.99€ |
10 - 11 | 0.78€ | 0.94€ |
BC635. C(inch): 50pF. Kosten): 7pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 10:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.