Hoeveelheid (Set van 10) | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 1 | 0.84€ | 1.02€ |
2 - 2 | 0.80€ | 0.97€ |
3 - 4 | 0.76€ | 0.92€ |
5 - 9 | 0.72€ | 0.87€ |
10 - 24 | 0.67€ | 0.81€ |
25 - 49 | 0.63€ | 0.76€ |
50 - 124 | 0.59€ | 0.71€ |
Hoeveelheid (Set van 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.84€ | 1.02€ |
2 - 2 | 0.80€ | 0.97€ |
3 - 4 | 0.76€ | 0.92€ |
5 - 9 | 0.72€ | 0.87€ |
10 - 24 | 0.67€ | 0.81€ |
25 - 49 | 0.63€ | 0.76€ |
50 - 124 | 0.59€ | 0.71€ |
BC636. C(inch): 110pF. Kosten): 9pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Productiedatum: 1997.04. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 800mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 02:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.