NPN-transistor BC327-25, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V

NPN-transistor BC327-25, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0454€
50-99
0.0401€
100-199
0.0354€
200+
0.0291€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 605
Minimum: 10

NPN-transistor BC327-25, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: nee. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. CE-diode: nee. FT: 100 MHz. Functie: hFE 160-400. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 1A. Kosten): 12pF. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 160. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BC337-25. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Origineel product van fabrikant: Lge Technology. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/11/2025, 21:35

Technische documentatie (PDF)
BC327-25
27 parameters
Collectorstroom
0.8A
Behuizing
TO-92
Behuizing (volgens datablad)
TO-92
Collector-emitterspanning Vceo
50V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
BE-diode
nee
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
CE-diode
nee
FT
100 MHz
Functie
hFE 160-400
Halfgeleidermateriaal
silicium
Ic(puls)
1A
Kosten)
12pF
Maximale hFE-versterking
400
Minimale hFE-versterking
160
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.625W
RoHS
ja
Spec info
complementaire transistor (paar) BC337-25
Technologie
Epitaxiale Planaire Transistor
Type transistor
PNP
Vcbo
50V
Vebo
5V
Verzadigingsspanning VCE(sat)
0.7V
Origineel product van fabrikant
Lge Technology
Minimale hoeveelheid
10

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor BC327-25