Transistoren

Kosten): 45pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 90 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 3A. Ic(puls): 7A. Markering op de kast: D882. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB772. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M31/J. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 330V/200V. Collectorstroom Ic [A], max.: 7A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: hFE 4000. Collectorstroom: 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Spec info: TO-126. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Collectorstroom: 0.02A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Functie: NF

Kosten): 50pF. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: AF-uitgangsversterker. Maximale hFE-versterking: 600. Minimale hFE-versterking: 340. Collectorstroom: 5A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.35V. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D8/C. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V/20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3P. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: J119. Afvoerbronspanning Uds [V]: -160V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1050pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 100W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 800pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS (F). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: ja

C(inch): 1040pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: SWITCHING, POWER MOS FET. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.55 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 47 ns. Td(aan): 24 ns. Technologie: P-CHANNEL POWER MOS FET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 250V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) min.: 4 v. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 800pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 205 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Enhancement Mode Low Drain-Bron On Resistance . Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 70 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: Silicon P Chanel Mos Fet. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 250V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. G-S-bescherming: ja

C(inch): 450pF. Kosten): 120pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (max): 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.95 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 52 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: silicium MOSFET-transistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 250V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. G-S-bescherming: ja

C(inch): 720pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: geïntegreerde beschermingsdiode. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 12A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 23W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.13 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 7 ns. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Technologie: P-kanaal MOS-veldeffecttransistor. G-S-bescherming: ja

C(inch): 120pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: FET. Functie: complementaire transistor (paar) 2SK216. ID (T=25°C): 500mA. Idss (max): 500mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 15V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: FET. ID (T=25°C): 20mA. Idss: 2.5mA. Idss (max): 2.5mA. ID s (min): 2.5mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 30 v. Functie: HF-versterking

C(inch): 1400pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 300uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.95 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 8.5 ns. Td(aan): 4 ns. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1400pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 300uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.95 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 85 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. G-S-bescherming: NINCS

Td(uit): 100 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: Silicon N Channel Mos. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 1000V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 3.5V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. C(inch): 1300pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 300uA. Markering op de kast: K1120. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Spec info: DC-DC-converter en motoraandrijvingstoepassing. Gewicht: 4.6g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2800pF. Kosten): 780pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 200 ns. Td(aan): 32 ns. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. G-S-bescherming: ja

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 30A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.08 Ohms. Spanning Vds(max): 60V

C(inch): 1400pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 300uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.95 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 85 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: V-MOS-L. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1400pF. Kosten): 200pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Low Driving Power High Speed Switching. Id(imp): 23A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 300 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: V-MOS. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). G-S-bescherming: NINCS

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: K1246. Afvoerbronspanning Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.4 Ohms @ 2.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 100 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 180 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 650pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 1800pF. Kosten): 500pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogspanningsschakeling. Id(imp): 10A. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 240W. Aan-weerstand Rds Aan: 4 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 220 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Behuizing: TO-3PN 13-16A1A. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 1400V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) max.: 3.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 1.5V. Bescherming afvoerbron: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.028 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. Spec info: Compatibel met logisch niveau

C(inch): 1300pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 300uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: Veldeffecttransistor MOS II.5. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V