Transistoren

C(inch): 1300pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 300uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: Veldeffecttransistor MOS II.5. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: DC-DC-spanningsomvormer. Binnendiameter (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 5.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Technologie: V-MOS. Spanning Vds(max): 400V

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: K1393. Afvoerbronspanning Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 150 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 200 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 675pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (max): 3.6A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.6 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V

C(inch): 700pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 10A. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 1mA. Markering op de kast: K1461. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.8 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 200 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: V-MOS, S-L. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3BP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 3V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: 21F1B. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2SK1489. Afvoerbronspanning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 140 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 500 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 1200pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: K1507. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 160 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 700pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Toepassing met hoogvermogenversterker. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 1mA. Markering op de kast: K1529. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Veldeffect Silicium N-kanaal MOS-type. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 180V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) max.: 2.8V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.8V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SJ200. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Power MOSFET. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: FAP-IIA Series. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V

C(inch): 690pF. Kosten): 120pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1450 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: hoge snelheid. Id(imp): 15A. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 300uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.9 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 210 ns. Td(aan): 70 ns. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 400pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 8A. Binnendiameter (T=100°C): 1A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 1mA. Markering op de kast: K2043. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.2 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: silicium MOSFET-transistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FI. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 4 v. Poort/bronspanning (uit) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 4pF. Kosten): 4pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: FET. Functie: FM-tunertoepassingen. ID (T=25°C): 20mA. Idss (max): 12mA. ID s (min): 0.6mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Spanning Vds(max): 20V. Poort/bronspanning (uit) max.: 2.5V. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 730pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: High-speed switching--tf = 50ns. Id(imp): 6A. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 0.1mA. Markering op de kast: K2129. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.2 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 160 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: Power F-MOS FET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Technologie: V-MOS. Spanning Vds(max): 200V

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 24A. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: MOSFET-transistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.35 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS-L. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 200V

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: FAP-IIA Series. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 250V

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: FAP-IIA Series. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 250V

C(inch): 1100pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 155 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Auto-elektronica. Id(imp): 108A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K2314. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 140us. Td(aan): 30us. Technologie: Vermogensveldeffecttransistor. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: ESD Protected--2000V min. G-S-bescherming: ja

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. Technologie: V-MOS (F). Spanning Vds(max): 700V. Let op: 70/160ns. Aantal per doos: 1

Kosten): 700pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K2372. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.23 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 160 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. C(inch): 3600pF. Functie: Chopper Regulator, DC-DC Converter. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (max): 7.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.42 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Veldeffecttransistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 250V. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: N. ID (T=25°C): 3mA. Idss (max): 14mA. ID s (min): 6mA. Markering op de kast: K246BL. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Poort-/bronspanning Vgs: -30V. Poort/bronspanning (uit) max.: 6V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.7V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: complementaire transistor (paar) 2SJ103

C(inch): 900pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogspanningsschakeltoepassingen. Id(imp): 12A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 100uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 63 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS