Transistoren

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA. Collectorstroom: 3.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 140 MHz. Functie: Io-zat. Collectorstroom: 3A. Let op: >500. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 100V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 110V

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: optimaal voor 120W hifi-uitgang. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 3500. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 15A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planair type darlington met drievoudige diffusie . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TOP-3L. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Vebo: 5V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 0.3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-3FP. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Spec info: IBp=2A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50MHz. Functie: Vermogensversterking met hoge voorwaartse stroom. Maximale hFE-versterking: 1000. Minimale hFE-versterking: 500. Collectorstroom: 3A. Ic(puls): 6A. Temperatuur: +150°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: 2.37k Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 55 MHz. Functie: hFE 5000. Minimale hFE-versterking: 5000. Collectorstroom: 10A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P ( MT-100 ). Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1560. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 210 MHz. Functie: S Io-sat. Collectorstroom: 2A. Let op: zeefdruk/SMD-code DT. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1561

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 3A. Ic(puls): 6A. Markering op de kast: D2394. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FN. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 7V

Kosten): 55pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Maximale hFE-versterking: 2000. Minimale hFE-versterking: 1000. Collectorstroom: 3A. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FN. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 5000. Collectorstroom: 12A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1588. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 55 MHz. Functie: hFE 5000. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1588. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Collectorstroom: 6A. Let op: >5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1625

BE-weerstand: 40 Ohms. Kosten): 95pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: CTV-HA. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 5. Collectorstroom: 6A. Ic(puls): 12A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Drievoudig diffuus MESA-type . Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Behuizing (volgens datablad): 2-16E3A. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Vebo: 5V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

BE-weerstand: 40 Ohms. Kosten): 95pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: CTV-HA. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 5. Collectorstroom: 6A. Ic(puls): 12A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Drievoudig diffuus MESA-type . Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Behuizing (volgens datablad): 2-16E3A. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CRT-HA Hi-r. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Let op: Vce(sat)=5V

Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 80V. Collectorstroom: 3A. Vermogen: 1.5W. Maximale frequentie: 50 MHz. Behuizing: MT-3-A1

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: TO-220. Maximale hFE-versterking: 12000. Minimale hFE-versterking: 5000. Collectorstroom: 6A. Markering op de kast: D2589. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 110V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1659

Weerstand B: NINCS. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-220AB. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8 MHz. Functie: 2A. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Behuizing: TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Maximale hFE-versterking: 8:1. Minimale hFE-versterking: 3. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1us. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 22W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Collectorstroom: 1.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 60V

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-1. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 300mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.15W