Transistoren

C(inch): 900pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Type transistor: MOSFET. Functie: Yfs--8-16S. Id(imp): 75A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: K2507. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.046 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 110 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Veldeffect MOS-type (L2-TT-MOSV). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 50V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: ja

C(inch): 220pF. Kosten): 60pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 4A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K2538. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 90 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Power F-MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 250V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaar. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: MOS-type (TT.MOSV). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. Aantal per doos: 1

C(inch): 1300pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 24A. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K2545. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.9 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 45 ns. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

C(inch): 1800pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: High Speed, H.V. Id(imp): 15A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.9 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 80 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: High Speed, H.V. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 800V. Aantal per doos: 1

C(inch): 2040pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 1.6us. Type transistor: MOSFET. Functie: High Speed, H.V. Id(imp): 27A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K2611. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 95 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 150pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Veldeffecttransistor. G-S-bescherming: onderdrukker. Id(imp): 6A. Binnendiameter (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: ZA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.33 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 150 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: MOS-type (L2.TT.MOSV). Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89 ( 2-5K1B ). Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

C(inch): 700pF. Kosten): 220pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 25 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 16A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 1mA. Markering op de kast: K2625. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 20 ns. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FI. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) min.: 3.5V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 550pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultrahigh-Speed Switching Applications. Binnendiameter (T=100°C): 1.3A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 1mV. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.6 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 45 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: V-MOS (F). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FI-LS. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 5.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 3.5V. Bescherming afvoerbron: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 950pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 200uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: K2640. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.73 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 70 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F15. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 900pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100nA. ID s (min): 10nA. Markering op de kast: K2645. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F15. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 450pF. Kosten): 75pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 200uA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: K2647. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.19 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220F15. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 900pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.78 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 70 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F15. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 780pF. Kosten): 200pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 1400 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K2662. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.35 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 25 ns. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: High Speed Switching, Zener-Protected. Aantal per doos: 1. Technologie: Veldeffecttransistor (TT-MOS V). G-S-bescherming: ja

C(inch): 1140pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): na. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 250uA. ID s (min): na. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.1 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 210 ns. Td(aan): 55 ns. Technologie: HVX-2 Series POWER MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F15. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2600pF. Kosten): 270pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K2699. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 45 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Behuizing: TO-3P ( TO3P ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

C(inch): 750pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 1100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 9A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K2700. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.7 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 110 ns. Td(aan): 55 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Hoge snelheid, hoogspanningsschakeling, DC/DC-converters. G-S-bescherming: ja

C(inch): 280pF. Kosten): 58pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 410 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snelle schakelsnelheid. Id(imp): 6A. ID (T=25°C): 2A. Idss: 100uA. Idss (max): 2A. Markering op de kast: K2715. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: MOSFET. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1200pF. Kosten): 20pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 1300 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 15A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K2717. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 200 ns. Td(aan): 90 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Hoge snelheid, hoogspanningsschakeling, DC/DC-converters. G-S-bescherming: ja

C(inch): 830pF. Kosten): 430pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 60 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoge stroom schakelen. Id(imp): 100A. Binnendiameter (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 10uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 28m Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 21 ns. Technologie: Veldeffect-vermogenstransistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

C(inch): 800pF. Kosten): 65pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 1400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Id(imp): 14A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: K2750. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.7 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 85 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSV). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 1100pF. Kosten): 170pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Binnendiameter (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 75 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: V-MOS. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1850pF. Kosten): 400pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 2.5us. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoge snelheid stroomschakeling. Id(imp): 48A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. ID s (min): na. Aan-weerstand Rds Aan: 0.9 Ohms. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: N-kanaal MOSFET-transistor. Vermogen: 175W. Tf(min): TO-3P ( TO3P ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 700V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) min.: 2V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 2040pF. Kosten): 640pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. ID s (min): na. Markering op de kast: K2842. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 180 ns. Td(aan): 58 ns. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Technologie: Veldeffecttransistor, MOS-type (TT.MOSV). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja