2SK1120

2SK1120. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: Silicon N Channel Mos. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 1000V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 3.5V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. C(inch): 1300pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 300uA. Markering op de kast: K1120. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Spec info: DC-DC-converter en motoraandrijvingstoepassing. Gewicht: 4.6g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 04:25.