2SJ512

2SJ512. C(inch): 800pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 205 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Enhancement Mode Low Drain-Bron On Resistance . Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 70 ns. Td(aan): 35 ns. Technologie: Silicon P Chanel Mos Fet. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 250V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. G-S-bescherming: ja. Aantal op voorraad bijgewerkt op 21/01/2025, 01:25.