Transistoren

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SANYO--PCP. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: zeefdruk/SMD-code DK, hFE 120...200

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 180. Collectorstroom: 5A. Id(imp): 8A. Markering op de kast: DK. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SANYO--PCP. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: zeefdruk/SMD-code DK

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 3.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V

Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 1000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: bipolaire transistor. Maximale hFE-versterking: 270. Minimale hFE-versterking: 120. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: DAQ. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiaal vlak type . Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Collector-emitterspanning Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code DAQ

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: schakelcircuits. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 70. Collectorstroom: 7A. Id(imp): 12A. Let op: complementaire transistor (paar) 2SB1135. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220ML. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 6V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: NF-E-L. Collectorstroom: 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3)

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Collectorstroom: 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: NF/E (F). Collectorstroom: 1.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1186A

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Collectorstroom: 2A. Let op: >1000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. CE-diode: ja

Kosten): 25pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: Schakelen met hoge stroomsterkte. Maximale hFE-versterking: 560. Minimale hFE-versterking: 35. Collectorstroom: 3A. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SMD. Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1202. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 35. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 12A. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale vlakke siliciumtransistors . Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1204

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Maximale hFE-versterking: 5000. Minimale hFE-versterking: 2000. Collectorstroom: 4A. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220ML. Type transistor: NPN. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.9V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Spec info: Epitaxiale vlakke silicium Darlington-transistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Kleuren-tv Horizontale afbuiging Uitgangsversterker.. Maximale hFE-versterking: 10. Minimale hFE-versterking: 5. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Behuizing (volgens datablad): TO-3PML. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Vebo: 6V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: laagfrequente eindversterker. Collectorstroom: 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1274

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Minimale hFE-versterking: 3000. Collectorstroom: 4A. Let op: =3000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1342

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M31/C. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 1500V/650V. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Markering van de fabrikant: silicium. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): 1500V. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): 650V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Collector-emitterspanning Vceo: 650V. Functie: S-L TV/HA(F)

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Io-sat DC/DC. Maximale hFE-versterking: 350. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 0.5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 25V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 2.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V

Kosten): 35pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 3A. Markering op de kast: D2012. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): 2-10R1A. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1366. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220FP. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V/60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 3A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 30W. Markering van de fabrikant: silicium. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): 30W. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 80V