Transistoren

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V/25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V/25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 20mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 40V

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/35V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: A21/B. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 15V/10V. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.12W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 1000V/500V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 22W

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 220 MHz. Collectorstroom: 0.2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 60V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Collectorstroom: 0.05A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 50V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: lo-zat . Collectorstroom: 0.7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 20V

Kosten): 120pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: Audio-eindversterker, DC-DC-converter. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB817. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 70. Collectorstroom: 12A. Ic(puls): 15A. Markering op de kast: D1062. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Functie: hogesnelheidsomvormers, converters, low-sat. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB826

Kosten): 200pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1 MHz. Collectorstroom: 10A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Vcbo: 130V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Vebo: 10V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 230. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 4A. RoHS: NINCS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 70V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Collectorstroom: 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Spec info: vervanging

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Spec info: vervanging

Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 4A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale vlakke silicium Darlington-transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB892. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2SD1279. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 600V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M37/J. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 7A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 120V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: 2.32k Ohms. Collectorstroom: 0.5A. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 25V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Io-zat. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 25V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Collectorstroom: 5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V

Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Minimale hFE-versterking: 8:1. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Drievoudig diffuus vlak . Tf(max): 0.7us. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Vebo: 7V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz