2SD1804

2SD1804. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 35. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 12A. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale vlakke siliciumtransistors . Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1204. Aantal op voorraad bijgewerkt op 21/01/2025, 01:25.