2SD2012

Hoeveelheid	excl. BTW	incl. BTW
1 - 4	1.74€	2.11€
5 - 9	1.66€	2.01€
10 - 24	1.57€	1.90€
25 - 49	1.48€	1.79€
50 - 99	1.45€	1.75€
100 - 249	1.41€	1.71€
250+	1.34€	1.62€

Hoeveelheid	U.P
1 - 4	1.74€	2.11€
5 - 9	1.66€	2.01€
10 - 24	1.57€	1.90€
25 - 49	1.48€	1.79€
50 - 99	1.45€	1.75€
100 - 249	1.41€	1.71€
250+	1.34€	1.62€

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!

Geen voorraad meer

Set van 1

2SD2012. Kosten): 35pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 3A. Markering op de kast: D2012. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): 2-10R1A. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1366. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 15/01/2025, 18:25.

Technische documentatie

Gelijkwaardige producten :

Hoeveelheid in voorraad : 59

KSD2012GTU

Kosten): 35pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Maximale hFE-versterk...

Set van 1

2.01€ incl. BTW
(1.66€ excl. BTW)

2.01€