Transistoren

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Spec info: Rbe 50 Ohms

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M46/J. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 1500V/600V. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 80W. Markering van de fabrikant: silicium. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 80W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): NPN. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M31/J. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 1.5 kV. Collectorstroom Ic [A], max.: 3A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Markering van de fabrikant: silicium. Afsnijfrequentie ft [MHz]: NPN

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M31/J. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 1500V/600V. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Markering van de fabrikant: silicium. Afsnijfrequentie ft [MHz]: NPN. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): 600V

RoHS: NINCS. Componentfamilie: Darlington NPN-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M37/J. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 1A. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: (F). Collectorstroom: 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Spec info: geïsoleerd

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA (geïsoleerd). Collectorstroom: 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-93. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA (geïsoleerd). Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 3.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 6A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 700V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Maximale hFE-versterking: 15. Minimale hFE-versterking: 4. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 17A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1us. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Vebo: 6V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF/SL. Collectorstroom: 0.1A. Let op: hFE 100...200. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Spec info: 2SD1609-C

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 140. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 4A. Let op: complementaire transistor (paar) 2SB1123S. Markering op de kast: DF. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale Planaire Siliciumtransistor . Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: zeefdruk/SMD-code DF. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Collectorstroom: 2A. Let op: hFE 200...400. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: zeefdruk/SMD-code DF, complementaire transistor (paar) 2SB1123T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 140. Collectorstroom: 3A. Ic(puls): 6A. Markering op de kast: DG. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale vlakke siliciumtransistors . Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.35V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: zeefdruk/SMD-code DG

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: hoge gelijkstroom, relaisdrivers, lampdrivers. Maximale hFE-versterking: 4000. Minimale hFE-versterking: 3000. Collectorstroom: 1.5A. Ic(puls): 3A. Markering op de kast: DI. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SANYO PCP. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.9V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: zeefdruk/SMD-code DI, complementaire transistor (paar) 2SB1126. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Collectorstroom: 2A. Let op: hFE 3000...4000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Functie: Hoge gelijkstroom, relaisdrivers, spanningsregeling. Spec info: zeefdruk/SMD-code DJ