PHB45N03LT

PHB45N03LT. C(inch): 920pF. Kosten): 260pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 52 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Veldeffect-vermogenstransistor, Logische niveauregeling. Id(imp): 180A. Binnendiameter (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 45A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 0.05uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 86W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 78 ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: TrenchMOS transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-404. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 25V. Poort-/bronspanning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 14/01/2025, 12:25.