Transistoren

Kosten): 3pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Functie: hFE 25...40. Aantal per doos: 1. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 6pF. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 150000. Minimale hFE-versterking: 25000. Collectorstroom: 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 12V. Functie: High hFE. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 60pF. Kosten): 6pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Collectorstroom: 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: PNP-transistor. BE-weerstand: -30V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Toepassingen: RF-POWER. Collector-emitterspanning VCEO: 28V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MTP2P50EG. Afvoerbronspanning Uds [V]: -500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ -1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 24 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 42 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1183pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 410pF. Kosten): 114pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Trr-diode (min.): 55.7 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 45A. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 48W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 14 ns. Td(aan): 9 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Spec info: Logische niveau-gated transistor. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: M50P03HDLG. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -50A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ -25A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 117 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4900pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AE. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MTW45N10E. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 50 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 170 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-264. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MTY100N10E. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 96 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 372 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 10640pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: transistor met voorspanningsweerstandsnetwerk. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 0.1A. Markering op de kast: 8B. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 338mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Digitale transistors (BRT). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: Panasonic NV-SD450. Let op: B1GBCFLL0035. Aantal per doos: 1. Spec info: zeefdruk/SMD-code 8B. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 9pF. Kosten): 3.5pF. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1

C(inch): 1373pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 395 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaar. Id(imp): 40A. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: NDP6020P. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -0.7V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 250 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1590pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 25A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1

C(inch): 2960pF. Kosten): 1130pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 225A. ID (T=25°C): 75A. Idss (max): 75A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.013 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 54 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 60V. Aantal per doos: 1

C(inch): 79pF. Kosten): 10pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 17 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1A. ID (T=25°C): 0.12A. Idss (max): 200uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 610. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.36W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 10 ns. Td(aan): 2.5 ns. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: zeefdruk/SMD-code 610. Functie: Spanningsgestuurde P-kanaal kleine signaalschakelaar, celontwerp met hoge dichtheid voor lage RDS (AAN). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 195pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: P. Type transistor: MOSFET. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 1A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. IGF: 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.35 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 25 ns. Td(aan): 8 ns. Behuizing: SSOT. Behuizing (volgens datablad): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 20V. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 0.4V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: NDS352APRL. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -0.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 135pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: NDS355AN_NL. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 195pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Functie: Dubbel 60V P & P-kanaal. Id(imp): 10A. ID (T=25°C): 2.3A. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: PowerTrench MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 60V. Aantal per doos: 2. Conditioneringseenheid: 2500. Spec info: 2xP-CH 60V

Functie: N MOSFET-transistor. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: 2xV-MOS. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: NDT452AP. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.8V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 50 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 690pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: NDT456P. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1440pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 4.5pF. Kosten): 10pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 75. Collectorstroom: 15A. Ic(puls): 30A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) NJW0281. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS