Elektronische componenten en apparatuur, voor bedrijven en particulieren
0
Productcategorieën :
Automatisering
>
19
Behuizingen voor elektronica
>
1201
Computer
>
56
Connectoren
>
5629
Elektrische bescherming
>
1127
Energie
>
1333
Geluid
>
306
Halfgeleiders
>
14457
Hulpmiddelen
>
1372
Kabels
>
1768
Koeling
>
751
Mechanische onderdelen
>
439
Opto-elektronica
>
1956
Passieve componenten
>
14444
Relais
>
850
Repareren
>
956
Schakelaars
>
929
Transformatoren
>
554
Vrijetijdselektronica
>
540
Halfgeleiders Transistoren

NDB6030L

NDB6030L
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Hoeveelheid excl. BTW incl. BTW
1 - 4 1.56€ 1.89€
5 - 9 1.48€ 1.79€
10 - 24 1.40€ 1.69€
25 - 49 1.32€ 1.60€
50 - 65 1.29€ 1.56€
Hoeveelheid U.P
1 - 4 1.56€ 1.89€
5 - 9 1.48€ 1.79€
10 - 24 1.40€ 1.69€
25 - 49 1.32€ 1.60€
50 - 65 1.29€ 1.56€
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Hoeveelheid in voorraad : 65
Set van 1

NDB6030L. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Modus voor verbetering van logisch niveau. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 19:25.

Technische documentatie

Gelijkwaardige producten :

Hoeveelheid in voorraad : 285
SPB56N03L

SPB56N03L

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. ID (T=25°C...
SPB56N03L
Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. ID (T=25°C): 56A. Idss (max): 56A. Markering op de kast: 56N03L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1
SPB56N03L
Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. ID (T=25°C): 56A. Idss (max): 56A. Markering op de kast: 56N03L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1
Set van 1
1.34€ incl. BTW
(1.11€ excl. BTW)
1.34€

Wij raden ook aan :

Geen voorraad meer
2SD1762

2SD1762

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Collectorstroom: 3A. Pd (vermogensd...
2SD1762
[LONGDESCRIPTION]
2SD1762
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.63€ incl. BTW
(2.17€ excl. BTW)
2.63€

Informatie en technische hulp

Per telefoon :
Per email
Verkoopvoorwaarden

Betaling en levering

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!

Abonneer u op de nieuwsbrief

Ik ga akkoord met het ontvangen van e-mails en ik begrijp dat ik me na registratie op elk moment kan uitschrijven.

Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.