Transistoren

Kosten): 5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: UNI. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 0.6A. Markering op de kast: 1 P. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Collector-emitterspanning Vceo: 75V. Spec info: SMD 1P. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1P. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1S. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 15V. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2F. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Kosten): 1.6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 0.6A. Ic(puls): 1.2A. Markering op de kast: 2F. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1AM. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen (SMD). C(inch): SOT-23. Kosten): 1.6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: UNI. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 0.2A. Markering op de kast: 1AM. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Spec info: SMD 1AM. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 250 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor. Markering op de kast: 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225mW. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf(max): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 2A

Kosten): 80pF. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: Schakeltransistor. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 0.6A. Ic(puls): 0.9A. Markering op de kast: 2x. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf(max): 30 ns. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: zeefdruk/CMS-code 2X. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2T. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 30. Collectorstroom: 0.6A. Markering op de kast: 2T. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf(max): 30 ns. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2L. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 150V. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor. Markering op de kast: 2 L. Equivalenten: MMBT5401LT1G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code (2Lx datumcode)

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2L. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 150V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 0.6A. Markering op de kast: G1. Equivalenten: MMBT5551LT1G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: zeefdruk/SMD-code G1 (3S Fairchild). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: G1. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 160V. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1GM. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1GM. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 0.5A. Let op: 1D. Markering op de kast: 1D. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 240mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) MMBTA92. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1D. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2GM. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2GM. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Kosten): 170pF. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 0.5A. Let op: 2D. Markering op de kast: 2D. Equivalenten: PMBTA92.215. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MMBTA42. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2D. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2D. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3EM. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 5mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 650 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor