Transistoren

C(inch): 702pF. Kosten): 357pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 256ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 33A. Binnendiameter (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Markering op de kast: 50R380. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 59.6ns. Td(aan): 15.2ns. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Let op: Laag stroomverlies door snel schakelen en lage inschakelweerstand. Functie: PFC-voedingstrappen, schakeltoepassingen, motorbesturing, DC-DC-converter. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 890pF. Kosten): 670pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 375 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PFC-voedingstrappen, schakeltoepassingen, motorbesturing, DC/DC-converters. Id(imp): 33A. Binnendiameter (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. Idss (max): 1uA. Markering op de kast: 60R360P. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.32 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 80 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: N-channel POWER MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: JD. Afvoerbronspanning Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1.6V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 16 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 60pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Afvoerbronspanning Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 3 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 7 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 45pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kosten): 9pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 350. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 1.5A. Markering op de kast: Y1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: A6A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.24W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: A6E. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.24W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: A8A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: A8E. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: A8K. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.246W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 55 MHz. Functie: paar complementaire transistoren. Minimale hFE-versterking: 5000. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-218. Type transistor: PNP & NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MPSA42. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MPSA92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

BE-weerstand: 10. Kosten): 300pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100MHz. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 500mA. Ic(puls): 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MPSA06. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 10000. Minimale hFE-versterking: 5000. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Technologie: Darlington-transistor. Tf(min): 125 MHz. Type transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 10V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 125 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 10000. Collectorstroom: 500mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Darlington-transistor. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Aantal aansluitingen: 3. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 45V. Collectorstroom: 0.2A. Maximale frequentie: 100 MHz. Behuizing: TO-92. Toepassingen: Audio

Kosten): 3pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 0.5A. Equivalenten: KSP42. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 (ammo pak). Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 500mV. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 6V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) MPSA92. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 7pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Maximale hFE-versterking: 50. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 0.3A. Equivalenten: KSP44, CMPSA44. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 (ammo pak). Type transistor: NPN. Vcbo: 500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 400mV. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 750mV. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 6V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: NF-TR. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 0.5A. Ic(puls): 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92AMMO. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) MPSA06. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MPSA56. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 125 MHz. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 5000. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 10V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Conditionering: rol. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: hoogspanningstransistor. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2000. Spec info: complementaire transistor (paar) MPSA42. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MPSH10. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 5mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 650 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor