Transistoren

Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Maximale hFE-versterking: 75. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 16A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxial-Base . Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO–3PBL. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL21193. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Functie: HIFI-eindversterker. Collector-emitterspanning VCEO: 250V. Collectorstroom: 16A. Vermogen: 200W. Behuizing: TO-264

C(inch): 30pF. Kosten): 8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 16A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL21196. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 16A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL21195. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: Complementaire bipolaire vermogenstransistor. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 45. Collectorstroom: 15A. Ic(puls): 25A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL1302A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 35 MHz. Functie: Krachtige audio, lage harmonische vervorming. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 50. Collectorstroom: 15A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL4302A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon Power Bipolar Transistor. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Vebo: 5V

Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 35 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 50. Collectorstroom: 15A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon Power Bipolar Transistor. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Vebo: 5V. Functie: Krachtige audio, lage harmonische vervorming. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL4281A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: Complementaire bipolaire vermogenstransistor. Productiedatum: 201446. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 50. Collectorstroom: 15A. Ic(puls): 25A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Technologie: Bipolaire vermogenstransistor. Spec info: complementaire transistor (paar) MJW3281A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Uitstekende versterkingslineariteit. Productiedatum: 2015/04. Maximale hFE-versterking: 80. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 16A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJW21196. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Uitstekende versterkingslineariteit. Maximale hFE-versterking: 80. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 16A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJW21195. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 2.8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: Complementaire bipolaire vermogenstransistor. Productiedatum: 201444 201513. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 50. Collectorstroom: 15A. Ic(puls): 25A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Technologie: Bipolaire vermogenstransistor. Spec info: complementaire transistor (paar) MJW1302A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Type transistor: MOSFET. Functie: Auto-elektronica. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 6uA. ID s (min): 0.6uA. Markering op de kast: L2N06CL. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 5us. Td(aan): 1us. Technologie: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Spanning Vds(max): 62V. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: MOSFET HYBRID. G-S-bescherming: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MMBF170. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 40pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 6Z. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 60pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 6K. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Afvoerstroom Idss [A] @ Ug=0V: 25mA. Poortbronbreekpuntspanning Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +15V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Componentfamilie: N-kanaals JFET-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 4.5pF. Kanaaltype: N. Type transistor: JFET. Functie: Uni sym. Idss (max): 9mA. ID s (min): 2mA. IGF: 10mA. Markering op de kast: 61 S. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2mA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: JFET-transistor voor algemeen gebruik. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 25V. Poort-/bronspanning Vgs: 3.5V. Poort/bronspanning (uit) max.: 7V. Poort/bronspanning (uit) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 61S. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5pF. Kanaaltype: P. Type transistor: JFET. Idss (max): 5mA. ID s (min): 1mA. IGF: 10mA. Markering op de kast: 6E. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: J-FET Ampl.. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 4 v. Vgs(th) min.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5pF. Kanaaltype: P. Type transistor: JFET. Idss (max): 9mA. ID s (min): 2mA. IGF: 10mA. Markering op de kast: 61U. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: J-FET Ampl.. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 4.5V. Vgs(th) min.: 7.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: zeefdruk/SMD-code 61U. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 11pF. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Aantal per doos: 1. Type transistor: JFET. Idss (max): 60mA. ID s (min): 7mA. IGF: 50mA. Markering op de kast: 6W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: P-Channel Switch. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 6V. Poort/bronspanning (uit) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: zeefdruk/SMD-code 6W. Conditioneringseenheid: 3000

Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Type transistor: JFET. Idss (max): 20mA. ID s (min): 1.5mA. IGF: 50mA. Markering op de kast: 6Y. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: P-Channel Switch. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 25V. Poort/bronspanning (uit) max.: 2.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.8V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 6Y. Conditioneringseenheid: 3000

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 6Y. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Afvoerstroom Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Poortbronbreekpuntspanning Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Componentfamilie: P-kanaal JFET-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Type transistor: JFET. Idss (max): 1mA. ID s (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Markering op de kast: 62 P. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2mA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 40V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 62P. Conditioneringseenheid: 3000. Spec info: VGS(off) 0.3V...1.5V. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Type transistor: FET. Functie: VHF/UHF-versterker, oscillator en mixer. Idss (max): 30mA. ID s (min): 12mA. IGF: 10mA. Markering op de kast: 6U. Pd (vermogensdissipatie, max.): 12mA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 25V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 6U. Conditioneringseenheid: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Conditionering: rol. Type transistor: FET. Functie: VHF/UHF-versterker, oscillator en mixer. Idss (max): 60mA. ID s (min): 24mA. IGF: 10mA. Markering op de kast: 6T. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 25V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD code 6T. Conditioneringseenheid: 3000. Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 6T. Afvoerbronspanning Uds [V]: 25V. Afvoerstroom Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. Poortbronbreekpuntspanning Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Componentfamilie: N-kanaals JFET-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C