Transistoren

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: voor hifi-audioversterkers en schakelregelaars. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 10A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxial-Base . Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 8V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE3055T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 10A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxial-Base . Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE2955T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: SOT-32. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-126. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE340. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 240. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE350. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Kosten): 30pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L, VID.. Collectorstroom: 0.5A. Equivalenten: KSE340. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126 ( TO-225 ). Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Collector-emitterspanning Vceo: 500V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE350. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 30pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 30. Collectorstroom: 0.5A. Let op: kunststof behuizing. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-225. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE350. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE340G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE350. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -300V. Collectorstroom: -0.5A. Vermogen: 20.8W. Behuizing: TO-126. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 240. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE340. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)

C(inch): 7pF. Kosten): 110pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 30. Collectorstroom: 0.5A. Equivalenten: KSE350. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-225. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE340. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 30pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 30. Collectorstroom: 0.5A. Let op: kunststof behuizing. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-225. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE340. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Markering van de fabrikant: MJE350G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Collector-emitterspanning VCEO: -300V. Collectorstroom: -0.5A. Vermogen: 20W. Maximale frequentie: 10MHz. Behuizing: TO-126. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

BE-weerstand: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 50. Collectorstroom: 8A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(min): 2us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Collector-emitterspanning VCEO: 400V. Collectorstroom: 8A. Vermogen: 100W. Behuizing: TO-220

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: PNP. Vcbo: 450V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE5852G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 400V. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 80W. Componentfamilie: hoogspanning PNP-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Uitvoering: Darlington-transistor. Collector-emitterspanning VCEO: -80V. Collectorstroom: -4A. Vermogen: 40W. Maximale frequentie: 1MHz. Behuizing: TO-126

Kosten): 1000pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Collectorstroom: 1.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 1000pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Collectorstroom: 1.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE800G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE803. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 1000V. Collectorstroom: 5A. Vermogen: 35W. Maximale frequentie: 13MHz. Behuizing: TO-220-F

Kosten): 80pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: (F). Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

BE-weerstand: 50. Kosten): 156pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 13 MHz. Functie: schakelcircuits. Maximale hFE-versterking: 35. Minimale hFE-versterking: 18. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.83V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Vebo: 10V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Kosten): 1.7pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: hFE 45(min). Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 45. Collectorstroom: 15A. Ic(puls): 25A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL3281A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 2.3pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: NF-L, TO-264. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 650V. Spec info: TO-3PBL. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 500pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Maximale hFE-versterking: 75. Minimale hFE-versterking: 25. Collectorstroom: 16A. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO–3PBL. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL21194. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS