MMBT2907ALT1G

Hoeveelheid (Set van 10)	excl. BTW	incl. BTW
1 - 4	0.53€	0.64€
5 - 9	0.50€	0.61€
10 - 24	0.48€	0.58€
25 - 49	0.45€	0.54€
50 - 99	0.42€	0.51€
100 - 111	0.40€	0.48€

Hoeveelheid (Set van 10)	U.P
1 - 4	0.53€	0.64€
5 - 9	0.50€	0.61€
10 - 24	0.48€	0.58€
25 - 49	0.45€	0.54€
50 - 99	0.42€	0.51€
100 - 111	0.40€	0.48€

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!

Hoeveelheid in voorraad : 1110

Set van 10

MMBT2907ALT1G. Kosten): 1.6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 0.6A. Ic(puls): 1.2A. Markering op de kast: 2F. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 15/01/2025, 07:25.

Technische documentatie

Informatie en technische hulp

Per telefoon :

Per email

Verkoopvoorwaarden

Betaling en levering

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!