Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 4 | 4.81€ | 5.82€ |
5 - 9 | 4.57€ | 5.53€ |
10 - 24 | 4.33€ | 5.24€ |
25 - 49 | 4.09€ | 4.95€ |
50 - 55 | 3.99€ | 4.83€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.81€ | 5.82€ |
5 - 9 | 4.57€ | 5.53€ |
10 - 24 | 4.33€ | 5.24€ |
25 - 49 | 4.09€ | 4.95€ |
50 - 55 | 3.99€ | 4.83€ |
MJW3281AG. Kosten): 2.8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: Complementaire bipolaire vermogenstransistor. Productiedatum: 201444 201513. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 50. Collectorstroom: 15A. Ic(puls): 25A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Technologie: Bipolaire vermogenstransistor. Spec info: complementaire transistor (paar) MJW1302A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 00:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.