MJE200G

Hoeveelheid	excl. BTW	incl. BTW
1 - 4	1.61€	1.95€
5 - 9	1.53€	1.85€
10 - 24	1.45€	1.75€
25 - 32	1.37€	1.66€

Hoeveelheid	U.P
1 - 4	1.61€	1.95€
5 - 9	1.53€	1.85€
10 - 24	1.45€	1.75€
25 - 32	1.37€	1.66€

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!

Hoeveelheid in voorraad : 32

Set van 1

MJE200G. Kosten): 80pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 65MHz. Maximale hFE-versterking: 180. Minimale hFE-versterking: 45. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-225. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 8V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE210. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 15/01/2025, 09:25.

Technische documentatie

Informatie en technische hulp

Per telefoon :

Per email

Verkoopvoorwaarden

Betaling en levering

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!