MJD45H11T4G

MJD45H11T4G. Kosten): 45pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 85 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistors. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: 45H11G. Equivalenten: MJD45H11G, MJD45H11J. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Tf (type): 140 ns. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): DPAK CASE 369C. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJD45H11T4G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 15/01/2025, 13:25.