KTB778

KTB778. Kosten): 280pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: Krachtige audioversterker. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 55. Collectorstroom: 10A. Markering op de kast: B778. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-3P ( H ) IS. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) KTD998. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 15/01/2025, 17:25.