PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF/L. Maximale hFE-versterking: 5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 160V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2390

NPN-transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN ( MT-100 ). Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: 1. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 55 MHz. Functie: hFE 5000. Ic(puls): A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2390. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2394

NPN-transistor, 12A, 150V. Collectorstroom: 12A. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF/L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Type transistor: PNP. Vcbo: 160V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2401

NPN-transistor, 8A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 8A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 65 MHz. Functie: hFE 5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2438

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: hFE 5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2439

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( SOT-93 ), 110V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P ( SOT-93 ). Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 6A, 110V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Let op: >5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2495

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 45 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Functie: HI-FI Audio Eindversterker en regelaar. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2560

NPN-transistor, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): MT-25 (TO220). Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Kosten): 100pF. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Minimale hFE-versterking: 5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: PNP. Vcbo: 110V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2589. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-1, 30 v, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-1. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.125W

NPN-transistor, 0.15A, 25V. Collectorstroom: 0.15A. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: GE. Let op: >30. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 35V, 1.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 35V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 10W

NPN-transistor, 1.5A, 35V. Collectorstroom: 1.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 35V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 50V, 2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W

NPN-transistor, PCB-solderen, M17/J, 90V/80V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M17/J. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 90V/80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 10W

NPN-transistor, PCB-solderen, M17/J, 40V/20V, 2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M17/J. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 10W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 20V/15V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V/15V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, PCB-solderen, D17/C, 25V, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D17/C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.9W

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 20V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 350 MHz. Functie: hFE 120...240. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 25V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD468

NPN-transistor, 0.1A, SC-71, 60V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SC-71. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, D8/C, 30V/25V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D8/C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 140 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: B647. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD667. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 140 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 1.5A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 27pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 140 MHz. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 100. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 180V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD669A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS