PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 1.5A, 35V. Collectorstroom: 1.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 35V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 50V, 2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W

NPN-transistor, PCB-solderen, M17/J, 90V/80V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M17/J. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 90V/80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 10W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 20V/15V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V/15V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, PCB-solderen, D17/C, 25V, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D17/C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.9W

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 20V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 350 MHz. Functie: hFE 120...240. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD468. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 25V

NPN-transistor, 0.1A, SC-71, 60V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SC-71. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, D8/C, 30V/25V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D8/C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 140 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: B647. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD667. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 140 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. Kosten): 27pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 140 MHz. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 100. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD669A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 180V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 55. Markering op de kast: B668. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD718. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 7A, 170V. Collectorstroom: 7A. Collector-emitterspanning Vceo: 170V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 7 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 80V/60V, 7A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V/60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): MINI MOLD. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. BE-diode: NINCS. Kosten): 2.7pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Maximale hFE-versterking: 460. Minimale hFE-versterking: 160. Ic(puls): 0.2A. Markering op de kast: AQ. RoHS: NINCS. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD601. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 25V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, D8/C, 35V, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D8/C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 35V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, PCB-solderen, D17/C, 60V/50V, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D17/C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.9W

NPN-transistor, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD882. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 12A, TO-3PN, 160V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1047. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: 10. BE-weerstand: 47. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1133. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 70V

NPN-transistor, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Weerstand B: 10. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 47. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: PNP-transistor. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1138. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 200V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 560. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 4A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1207. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 45V/40V, 300mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V/40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 80V, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: A743. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 120 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor. Aantal per doos: 1