PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: Laag geluidsniveau, audioversterker. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 3A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2275

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 60V/50V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 40V/32V, 2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/32V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 10W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 120V, 1.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP Darlington-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 8W

NPN-transistor, PCB-solderen, M10/J, 100V, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M10/J. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 140. Let op: zeefdruk/SMD-code BF. Markering op de kast: BF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1623S. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Let op: zeefdruk/SMD-code BF. Markering op de kast: BF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Functie: Medium POWER, solenoïde-, relais- en actuatordrivers en DC/DC-modules. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1623T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89 (SC-62). Collector-emitterspanning Vceo: 32V. Kosten): 20pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 390. Minimale hFE-versterking: 180. Markering op de kast: BA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: SMD BA0. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126ML. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 39pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.35V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 6V. Functie: NF/SL. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1683. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): SC-67. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 50pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Functie: NF-E-L. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 60. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal vlak type . Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 95pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: High-Current switching, low-sat. Id(imp): 12A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf (type): 20 ns. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1804. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 5A, 25V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 320 MHz. Functie: Stroboscoopschakeling met hoge stroomsterkte. Let op: hFE 140...280. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: PNP. Spec info: TO-251 (I-Pak)

NPN-transistor, 3A, 110V. Collectorstroom: 3A. Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Let op: =4000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 1A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 32V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): ATV. Collector-emitterspanning Vceo: 32V. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 390. Minimale hFE-versterking: 82. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: TU2. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V

NPN-transistor, 2A, 40V. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Let op: hFE 180...390. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Type transistor: PNP. Spec info: 2SB1240R

NPN-transistor, 3A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 50V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): ATV. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Maximale hFE-versterking: 390. Minimale hFE-versterking: 82. Ic(puls): 4.5A. Markering op de kast: B1243 (RN). Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiaal vlak type . Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: laagfrequente eindversterker. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1913

NPN-transistor, 3A, 100V. Collectorstroom: 3A. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: >2000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 6A, 120V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 12 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Let op: =10000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 4A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 12 MHz. Maximale hFE-versterking: 10000. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1933

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 9 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1913

NPN-transistor, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TOP-3L. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: optimaal voor 120W hifi-uitgang. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 3500. Ic(puls): 15A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planair type darlington met drievoudige diffusie . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Type transistor: PNP. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS