PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): SC-67. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 50pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Functie: NF-E-L. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 60. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal vlak type . Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251 ( I-Pak ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 95pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: High-Current switching, low-sat. Id(imp): 12A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1804. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf (type): 20 ns. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V

NPN-transistor, 5A, 25V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 320 MHz. Functie: Stroboscoopschakeling met hoge stroomsterkte. Let op: hFE 140...280. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Spec info: TO-251 (I-Pak). Type transistor: PNP

NPN-transistor, 3A, 110V. Collectorstroom: 3A. Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Let op: =4000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 1A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 32V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): ATV. Collector-emitterspanning Vceo: 32V. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 390. Minimale hFE-versterking: 82. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: TU2. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V

NPN-transistor, 2A, 40V. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Let op: hFE 180...390. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Spec info: 2SB1240R. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 3A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 50V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): ATV. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Maximale hFE-versterking: 390. Minimale hFE-versterking: 82. Ic(puls): 4.5A. Markering op de kast: B1243 (RN). Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiaal vlak type . Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: laagfrequente eindversterker. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1913. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 3A, 100V. Collectorstroom: 3A. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: >2000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 6A, 120V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 12 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Let op: =10000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 4A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 12 MHz. Maximale hFE-versterking: 10000. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1933. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 9 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1913. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TOP-3L. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: optimaal voor 120W hifi-uitgang. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 3500. Ic(puls): 15A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planair type darlington met drievoudige diffusie . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Type transistor: PNP. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF/L. Maximale hFE-versterking: 5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2390. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 160V

NPN-transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN ( MT-100 ). Collector-emitterspanning Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: 1. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 55 MHz. Functie: hFE 5000. Ic(puls): A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2390. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2394. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 12A, 150V. Collectorstroom: 12A. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF/L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2401. Type transistor: PNP. Vcbo: 160V

NPN-transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 65 MHz. Functie: hFE 5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2438. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: hFE 5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2439. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( SOT-93 ), 110V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P ( SOT-93 ). Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 6A, 110V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Let op: >5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2495. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 45 MHz. Functie: HI-FI Audio Eindversterker en regelaar. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2560. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): MT-25 (TO220). Collector-emitterspanning Vceo: 110V. BE-diode: NINCS. Kosten): 100pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Minimale hFE-versterking: 5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD2589. Type transistor: PNP. Vcbo: 110V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.15A, 25V. Collectorstroom: 0.15A. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: GE. Let op: >30. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 35V, 1.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 35V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 10W