PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 0.5A, 40V. Collectorstroom: 0.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 65V/60V, 300mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V/60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 2.5A, 35V. Collectorstroom: 2.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 35V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 160 MHz. Functie: laagfrequente eindversterker. Let op: Silicon PNP Epitaxial. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar)

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 30V/25V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 55V, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 55V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.15W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 35V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 35V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Ic(puls): 0.5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 70V/50V, 2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 70V/50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 15W

NPN-transistor, PCB-solderen, D18/C, 80V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D18/C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1W

NPN-transistor, PCB-solderen, D35/B, 150V, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D35/B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 150V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-solderen, D35/B, 20V/15V, 200mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D35/B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V/15V. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 100V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 5W

NPN-transistor, 0.05A, 80V. Collectorstroom: 0.05A. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.15W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 30V/20V, 30mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Markering van de fabrikant: silicium. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 0.03A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): PNP. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): 30 v

NPN-transistor, 1A, 40V. Collectorstroom: 1A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Weerstand B: NINCS. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): D8A/C. CE-diode: PCB-doorvoermontage. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 45V/35V, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V/35V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 5W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 90V, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 90V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, 1A, 20V. Collectorstroom: 1A. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Weerstand B: NINCS. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-126. CE-diode: PCB-doorvoermontage. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 4W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 90V, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 90V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V. Collectorstroom: 0.05A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92L. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: NF. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, D18/C, 40V/32V, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D18/C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/32V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.75W

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: TV-HA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2073. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Collectorstroom: 0.05A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: audio/video. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: 9 mm hoogte

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: PCT-proces. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 80. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type . Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2235-Y. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Kosten): 4pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 700. Minimale hFE-versterking: 200. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Functie: Laag geluidsniveau, audioversterker. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2240. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS