PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 70V/50V, 2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 70V/50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 15W

NPN-transistor, PCB-solderen, D18/C, 80V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D18/C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1W

NPN-transistor, PCB-solderen, D35/B, 20V/15V, 200mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D35/B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V/15V. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.05A, 80V. Collectorstroom: 0.05A. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.15W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.03A, 30 v. Collectorstroom: 0.03A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 1A, 40V. Collectorstroom: 1A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 1A, 20V. Collectorstroom: 1A. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 4W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V. Collectorstroom: 0.05A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92L. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: NF. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, D18/C, 40V/32V, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D18/C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/32V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.75W

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: TV-HA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2073. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Collectorstroom: 0.05A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: audio/video. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Spec info: 9 mm hoogte. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: PCT-proces. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 80. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2235-Y. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type . Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: Laag geluidsniveau, audioversterker. Maximale hFE-versterking: 700. Minimale hFE-versterking: 200. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2240. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: Laag geluidsniveau, audioversterker. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 3A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2275. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 60V/50V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 40V/32V, 2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/32V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 10W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 120V, 1.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP Darlington-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 8W

NPN-transistor, PCB-solderen, M10/J, 100V, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M10/J. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 140. Let op: zeefdruk/SMD-code BF. Markering op de kast: BF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1623S. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: Medium POWER, solenoïde-, relais- en actuatordrivers en DC/DC-modules. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Let op: zeefdruk/SMD-code BF. Markering op de kast: BF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1623T. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP

NPN-transistor, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89 (SC-62). Collector-emitterspanning Vceo: 32V. BE-diode: NINCS. Kosten): 20pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 390. Minimale hFE-versterking: 180. Markering op de kast: BA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: SMD BA0. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126ML. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 39pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: NF/SL. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SD1683. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.35V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 6V