PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 2A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 200V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): FM20 (TO220F). Collector-emitterspanning Vceo: 200V. BE-diode: NINCS. Kosten): 60pF. CE-diode: NINCS. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: Hoogspanning PNP-transistor voor audio- en algemene toepassingen.. Minimale hFE-versterking: 60. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC4382. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 200V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 80V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: NF-L. Minimale hFE-versterking: 50. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC4466. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V

NPN-transistor, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 50V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89 ( MTP3 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 36pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: NF, lo-sat. Maximale hFE-versterking: 270. Minimale hFE-versterking: 120. Ic(puls): 5A. Markering op de kast: AG*. Equivalenten: LG 0TRRH80034A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC4672. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): 2-10R1A. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. BE-diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 100. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC4793. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 230V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: TV, SL. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC5171. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1A. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. BE-diode: NINCS. Kosten): 320pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: HIFI-eindversterker. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 80. Markering op de kast: A1941. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC5198. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 140V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264 ( 2-21F1A ). Collector-emitterspanning Vceo: 230V. BE-diode: NINCS. Kosten): 360pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30MHz. Functie: HIFI-eindversterker. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 80. Markering op de kast: A1943 (O). Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC5200. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Type transistor: PNP. Vcbo: 230V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, -230V, -15A. Collector-emitterspanning VCEO: -230V. Collectorstroom: -15A. Type transistor: PNP-transistor. Polariteit: PNP. Functie: HIFI-eindversterker. Maximale frequentie: 30 MHz

NPN-transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 230V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 25 MHz. Functie: NF-HI-FI. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC5242. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 230V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, 230V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC5359. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 50V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: DC-DC-converter, TFT-voeding. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC5707. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ), 50V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: DC-DC-converter, TFT-voeding. Ic(puls): 11A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC5707. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP

NPN-transistor, 20A, TO-220FP, TO-220F-3SG, 50V. Collectorstroom: 20A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F-3SG. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 140 MHz. Functie: Relaisdrivers, lampdrivers, motordrivers. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 150. Ic(puls): 25A. Markering op de kast: A2210. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC6082. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.4A, 40V. Collectorstroom: 0.4A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-98, 35V/30V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-98. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 35V/30V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.4A, 30 v. Collectorstroom: 0.4A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Functie: algemeen gebruik. Let op: hFE 70...140. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Spec info: 2SA562-O. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.4A, 30 v. Collectorstroom: 0.4A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Functie: algemeen gebruik. Let op: hFE 120...240. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Spec info: KTA562-Y. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-18, 60V/40V, 200mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-18. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.15A. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 4.5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 560. Minimale hFE-versterking: 160. Id(imp): 0.4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 30V/25V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.15W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 60V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.15W

NPN-transistor, 0.5A, 40V. Collectorstroom: 0.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 65V/60V, 300mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V/60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 2.5A, 35V. Collectorstroom: 2.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 35V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 160 MHz. Functie: laagfrequente eindversterker. Let op: Silicon PNP Epitaxial. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Spec info: complementaire transistor (paar). Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Ic(puls): 0.5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V