PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 140mA, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 140mA. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: Snelle schakelsnelheid. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 100. Markering op de kast: A1209. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: PNP. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2911

NPN-transistor, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): 2-5K1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 40pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Markering op de kast: NY. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk / SMD-code NY. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, D3/B, 30V/20V, 30mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D3/B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 140V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO3P ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: HI-FI, NF-E. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3182. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 230V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 35 MHz. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3263

NPN-transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), MT-100, 230V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): MT-100. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Kosten): 500pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 35 MHz. Functie: HIFI-audio. Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 50. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Tf(max): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3263. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 17A, 230V. Collectorstroom: 17A. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 35 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3264. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 12A, TO-247, TO-247, 160V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: HIFI-NF-E. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3280

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: HIFI-NF-E. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3281

NPN-transistor, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Collectorstroom: 14A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3284. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 160V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3298. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: Io-zat. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3299

NPN-transistor, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F (2-8A1H). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Kosten): 30pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3421Y. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.05A, 2-8H1A, 150V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 0.05A. Behuizing (volgens datablad): 2-8H1A. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 2.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 80. Pd (vermogensdissipatie, max.): 5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 150V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3423. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 200V. C(inch): 1.7pF. Kosten): 2.6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Vcbo: 200V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Functie: video. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO3P ), MT-100(TO3P), 180V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3P ( TO3P ). Behuizing (volgens datablad): MT-100(TO3P). Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Kosten): 500pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Markering op de kast: A1386A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Gewicht: 6g. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3519A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 60V/50V, 200mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 50V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 50V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 50V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 50V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 5A, 35V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 35V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 170 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 30V/25V, 300mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 180V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Markering op de kast: A1492. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3856

NPN-transistor, 0.2A, TO-126F, TO-126F, 120V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 400 MHz. Functie: Hi-def, Cre=2.2pF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3953