PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 5 MHz. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 90V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N6488

NPN-transistor, TO-92, 0.5A, TO-92, 350V. Behuizing: TO-92. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Weerstand B: vermogenstransistor. BE-weerstand: -350V. C(inch): 100pF. Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 15. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N6517. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 60V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: S-L, Low-sat. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2562

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: CTV-NF/VA. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 60. Markering op de kast: A1013. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2383. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: CTV-NF/VA. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 160. Markering op de kast: A1013-Y. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2383. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Collectorstroom: 0.15A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92, 2-5F1B. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 4pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: audio-versterker. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+125°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC1162. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.15A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 4pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: hFE.120-240. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Markering op de kast: 1015 Y. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +125°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+125°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC1815Y. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, RM-60, 120V, 12A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: RM-60. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 12A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 120W

NPN-transistor, 10A, 140V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2581

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 200V, 17A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 200V. Collectorstroom Ic [A], max.: 17A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Markering van de fabrikant: silicium. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 17A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): PNP. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): 200V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, SOT-32, 35V, 5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 35V. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2SA1120. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 170 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 150V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 220. Minimale hFE-versterking: 130. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: A1123. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal schaaftype . Type transistor: PNP. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 60V/55V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/55V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 10A, SOT-199, SOT-199, 115V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: SOT-199. Behuizing (volgens datablad): SOT-199. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 90 MHz. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 15A. Markering op de kast: A1141. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V

NPN-transistor, 0.1A, 180V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 8W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.05A, 150V. Collectorstroom: 0.05A. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: audio-versterker. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 80. Let op: 9mm. Markering op de kast: A1145 O. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Type transistor: PNP. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2705. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Functie: VCE(sat) 2V max. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 30. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 140V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2706

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 35V/30V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 35V/30V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Weerstand B: 47. BE-weerstand: 47. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: algemeen gebruik. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, D6/C, 30V/20V, 30mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D6/C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.15W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-236, 55V/50V, 150mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 55V/50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.05A, 80V. Collectorstroom: 0.05A. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 140 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-89, 150V, 50mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-89. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 150V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 0.07A, TO-92, SANYO--MP, 160V. Collectorstroom: 0.07A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): SANYO--MP. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: Hoogspanningsschakeling. Ic(puls): 0.14A. Let op: 9 mm hoogte. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Type transistor: PNP. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.14V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2910