PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: voor audioversterker. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15031. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15030G. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: voor audioversterker. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 20

NPN-transistor, -250V, -8A, TO-220. Collector-emitterspanning VCEO: -250V. Collectorstroom: -8A. Behuizing: TO-220. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 50W. Maximale frequentie: 30MHz

NPN-transistor, TO-220, 8A, TO-220AB, 250V. Behuizing: TO-220. Collectorstroom: 8A. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. RoHS: ja. BE-diode: NINCS. Kosten): 2pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: voor audioversterker. Maximale hFE-versterking: 50. Minimale hFE-versterking: 10. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE15032. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. BE-diode: NINCS. Kosten): 2.5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 10. Ic(puls): 8A. Let op: complementaire transistor (paar) MJE15034G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-225. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. Kosten): 120pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 65MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE200. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Vebo: 8V

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-225. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Functie: Schakelen op hoge snelheid, Audio. Maximale hFE-versterking: 180. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 8A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE243. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. Kosten): 200pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, TO-220AB, 60V, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE2955T. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: voor hifi-audioversterkers en schakelregelaars. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 20. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE3055T. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxial-Base . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 8V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE2955TG. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

NPN-transistor, SOT32, -300V. Behuizing: SOT32. Collector-emitterspanning VCEO: -300V. Uitvoering: Switching. Polariteit: PNP. Vermogen: 20W. Collector-base spanning VCBO: -300V. Montagetype: PCB-doorvoermontage. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 30. Serie: MJE350

NPN-transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-225. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. BE-diode: NINCS. C(inch): 7pF. Kosten): 110pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 30. Equivalenten: KSE350. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE340. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vebo: 3V

NPN-transistor, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-225. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. BE-diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 30. Let op: kunststof behuizing. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE340. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V

NPN-transistor, 300V, 500mA, PCB-solderen, TO-225, TO-225. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Markering van de fabrikant: MJE350G. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogspanning PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3

NPN-transistor, 8A, 400V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: PNP. Vcbo: 450V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, TO-220, 400V, 8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 400V. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogspanning PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE5852G. Maximale dissipatie Ptot [W]: 80W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, -80V, -4A, TO-126. Collector-emitterspanning VCEO: -80V. Collectorstroom: -4A. Behuizing: TO-126. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Uitvoering: Darlington-transistor. Vermogen: 40W. Maximale frequentie: 1MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 750

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Collector-emitterspanning Vceo: 260V. BE-diode: NINCS. Kosten): 1.7pF. CE-diode: NINCS. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: hFE 45(min). Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 45. Ic(puls): 25A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL3281A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO–3PBL. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. BE-diode: NINCS. Kosten): 500pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Maximale hFE-versterking: 75. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL21194. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 35 MHz. Functie: Krachtige audio, lage harmonische vervorming. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 50. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL4281A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon Power Bipolar Transistor. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: Complementaire bipolaire vermogenstransistor. Productiedatum: 201446. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 50. Ic(puls): 25A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJW3281A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Bipolaire vermogenstransistor. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 16A, TO-247, TO-247, 250V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Uitstekende versterkingslineariteit. Productiedatum: 2015/04. Maximale hFE-versterking: 80. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJW21196. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 60V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2F. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 40V, 200mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 250 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 40V, 600mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2T. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C