PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-243. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: DB. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 60 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

NPN-transistor, 0.03A, SOT-39, SOT-39, 40V. Collectorstroom: 0.03A. Behuizing: SOT-39. Behuizing (volgens datablad): SOT-39. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 900 MHz. Functie: UHF-M/O. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Kosten): 1.6pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Minimale hFE-versterking: 50. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: 1W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Aantal per doos: 1. Spec info: zeefdruk/SMD-code 1W. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 20V, 25mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor. Functie: UHF-V. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 30mA, TO-50, TO-50, 40V, SOT-37. Collectorstroom: 30mA. Behuizing: TO-50. Behuizing (volgens datablad): TO-50. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Behuizing: SOT-37. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 900 MHz. Functie: UHF-M/O. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.15W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Toepassingen: RF POWER. Maximale frequentie: 900 MHz. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 30mA, 20V. Collectorstroom: 30mA. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: UHF-V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. Type transistor: PNP. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, TO-264, 250V, 200mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-264. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BFN37. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 12V. Collectorstroom Ic [A], max.: 35mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: X1p. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 5GHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-weerstand: 150 Ohms. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: hoge gelijkstroom, relaisdrivers, lampdrivers. Maximale hFE-versterking: 2000. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.25W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BSP50. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP62. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: hFE 50...300. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Spec info: zeefdruk/CMS-code T8. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor. Functie: VHR758 EV. Aantal per doos: 1. CE-diode: ja

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 70V. Spec info: complementaire transistor (paar) CSD1133

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 20A. Equivalenten: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: paar D44H11. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: D45H11G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 40 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 30 v. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Minimale hFE-versterking: 70. Ic(puls): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: NINCS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: D45H8G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 40 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

NPN-transistor, -80V, -15A, TO–220AB. Collector-emitterspanning VCEO: -80V. Collectorstroom: -15A. Behuizing: TO–220AB. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 83W. Maximale frequentie: 50 MHz

NPN-transistor, 50mA, SOT-416 ( 1.6x0.8mm ), 50V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing (volgens datablad): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: 14. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 14

NPN-transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( 2.9x1.6mm ), 50V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: Digitale transistor (voorspanningsweerstand ingebouwd). Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: 14. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 14

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: Digitale transistors (ingebouwde weerstanden). Markering op de kast: 15. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Spec info: zeefdruk/SMD-code 15. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 0.1A, SC-72, SC-72 ( D143 ), 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SC-72. Behuizing (volgens datablad): SC-72 ( D143 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: 4.7k Ohms. BE-weerstand: 47k Ohms. Kosten): 3pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Met PNP-weerstand uitgeruste transistor. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 100mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Vebo: 10V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 19. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 190 MHz. Functie: Schakeltransistor. Maximale hFE-versterking: 480. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: complementaire transistor (paar) FMMT619. Spec info: zeefdruk/SMD-code 720