PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 30 v. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Minimale hFE-versterking: 70. Ic(puls): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: NINCS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: D45H8G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 40 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, -80V, -15A, TO–220AB. Collector-emitterspanning VCEO: -80V. Collectorstroom: -15A. Behuizing: TO–220AB. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 83W. Maximale frequentie: 50 MHz

NPN-transistor, 50mA, SOT-416 ( 1.6x0.8mm ), 50V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing (volgens datablad): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: 14. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 14. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 50V

NPN-transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( 2.9x1.6mm ), 50V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: Digitale transistor (voorspanningsweerstand ingebouwd). Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: 14. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200mW. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 14. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 50V

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: Digitale transistors (ingebouwde weerstanden). Markering op de kast: 15. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 15. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.1A, SC-72, SC-72 ( D143 ), 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SC-72. Behuizing (volgens datablad): SC-72 ( D143 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: 4.7k Ohms. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 47k Ohms. Kosten): 3pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Met PNP-weerstand uitgeruste transistor. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 100mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 19. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 190 MHz. Functie: Schakeltransistor. Maximale hFE-versterking: 480. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 4A. Let op: complementaire transistor (paar) FMMT619. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 720. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 2A, SANYO--PCP4, 25V. Collectorstroom: 2A. Behuizing (volgens datablad): SANYO--PCP4. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 5A. Aantal aansluitingen: 7. RoHS: ja. Spec info: 2SB1121 en SB05-05CP geïntegreerd in één koffer. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Type transistor: PNP. Vcbo: 30 v

NPN-transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. CE-diode: ja. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 65 MHz. Functie: hFE 5000. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Spec info: complementaire transistor (paar) FN1016. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 3A, PCP4, 15V. Collectorstroom: 3A. Behuizing (volgens datablad): PCP4. Collector-emitterspanning Vceo: 15V. CE-diode: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 100. Aantal aansluitingen: 6. RoHS: ja. Spec info: Transistor + diode block. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 400V, 0.2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 400V. Collectorstroom Ic [A], max.: 0.2A. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogspanning PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FZT558. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 30 v, 5.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 5.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FZT949. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 3A, 40V. Collectorstroom: 3A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Let op: hFE 100...400. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Spec info: TO-92. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 160...320. Spec info: NIET-geïsoleerde behuizing. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Spec info: KSA642-O. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.15A, 60V. Collectorstroom: 0.15A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: 9mm. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Spec info: Samsung>> STB1277. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.7A, 80V. Collectorstroom: 0.7A. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: NF/S. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Spec info: 9 mm hoogte. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. Kosten): 55pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Spec info: complementaire transistor (paar) KSC2073. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 150V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 3L (AMMO). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. Kosten): 2pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 600. Minimale hFE-versterking: 300. Markering op de kast: A992. Equivalenten: 2SC992. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) KSC1845. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Kosten): 35pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 9 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 150. Markering op de kast: B1366-G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Spec info: complementaire transistor (paar) KSD2012. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon PNP Triple Diffused Type. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55°C tot +150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 1A, 30 v. Collectorstroom: 1A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 110 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Spec info: SAMSUNG. Type transistor: PNP