PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 1000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelende hoogspanningstransistor. Maximale hFE-versterking: 32. Minimale hFE-versterking: 4. Ic(puls): 3A. Markering op de kast: N93003. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.6W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) STN83003. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V

NPN-transistor, -20V, -1A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: -20V. Collectorstroom: -1A. Behuizing: TO-92. Type transistor: PNP-transistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 1W. Maximale frequentie: 65MHz. Toepassingen: Audio

NPN-transistor, -45V, -1A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: -45V. Collectorstroom: -1A. Behuizing: TO-92. Type transistor: PNP-transistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 0.8W. Maximale frequentie: 150MHz. Toepassingen: Audio

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: schakelen, audioversterker. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 15A. Let op: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP102. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Darlington-transistor. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, TO-220AB, 80V, 5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP126. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 8A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP122. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. C(inch): 75pF. Kosten): 10pF. CE-diode: NINCS. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2)

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 8 k Ohms és 120 Ohms. Kosten): 300pF. CE-diode: ja. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 8A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP122G. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP127. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP137. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-247, -100V, 100V, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Behuizing (JEDEC-standaard): -100V. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP147. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-diode: ja. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Darlington-transistor met complementaire voeding. Maximale hFE-versterking: 1000. Minimale hFE-versterking: 500. Ic(puls): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP142T. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Monolithisch Darlington. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, TO-247, 15A, TO-247, 70V. Behuizing: TO-247. Collectorstroom: 15A. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 70V. RoHS: ja. Let op: complementaire transistor (paar) TIP3055. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Spec info: Lage collector-emitter-verzadigingsspanning. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: audio-versterker. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, TO-220AB, 40V, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP30. Maximale dissipatie Ptot [W]: 30W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. BE-diode: NINCS. Kosten): 160pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: PNP TRANS 100V 3. Productiedatum: 201448. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP31C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, TO-247, 10A, TO-247, 140V. Behuizing: TO-247. Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. RoHS: ja. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistors. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP33C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 140V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V

NPN-transistor, TO-247, 25A, TO-247, 100V. Behuizing: TO-247. Collectorstroom: 25A. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. RoHS: ja. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 50A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP35C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. Kosten): 45pF. CE-diode: ja. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistors. Productiedatum: 1512. Maximale hFE-versterking: 50

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-247, 100V, 25A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP36CG. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Behuizing: TO-220. Collectorstroom: 6A. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistors. Maximale hFE-versterking: 75. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP41C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, -100V, -6A, TO-220. Collector-emitterspanning VCEO: -100V. Collectorstroom: -6A. Behuizing: TO-220. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 65W. Maximale frequentie: 3MHz

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 180pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 180pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: 0.2W. Spec info: zeefdruk/SMD-code 6B. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 180pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: 0.2W. Spec info: zeefdruk/SMD-code 6D. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. C(inch): 75pF. Kosten): 15pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: 1.6mm. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP

NPN-transistor, 100nA (ICBO), SO, SM-8. Collectorstroom: 100nA (ICBO). Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SM-8. Aantal per doos: 2. Spanning: 60V. Maximale hFE-versterking: 100 (500mA, 2V). Aantal aansluitingen: 8:1. Max: 140 MHz. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Vermogen: 2.75W. Type transistor: PNP & PNP. Bedrijfstemperatuur: -55°C ~ 150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 500mV (200mA, 2A)

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Kosten): 15pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Spec info: complementaire transistor (paar) ZTX451. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V