PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: A6A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.24W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: A6E. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.24W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MPSA92. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92AMMO, 80V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92AMMO. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: NF-TR. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) MPSA06. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MPSA56. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 125 MHz. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Conditionering: rol. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: hoogspanningstransistor. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2000. Spec info: complementaire transistor (paar) MPSA42. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. C(inch): 60pF. Kosten): 6pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Weerstand B: PNP-transistor. BE-weerstand: -30V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. C(inch): 4.5pF. Kosten): 10pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 75. Ic(puls): 30A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) NJW0281. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. C(inch): 9pF. Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30MHz. Functie: audio-eindversterker. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 75. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) NJW3281. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3P, 250V, 16A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3P. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Collectorstroom Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: NJW21193G. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

NPN-transistor, 15A, 60V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2.5 MHz. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Let op: hFE 20...70. Let op: complementaire transistor (paar) NTE219. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3.3V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 5A, SOT-89, SOT89 (SC-62), 60V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT89 (SC-62). Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Kosten): 85pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 110 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 80. Ic(puls): 15A. Let op: PBSS4041NX. Markering op de kast: 6g. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf (type): 75 ns. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 60mV. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 300mV. Vebo: 5V. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: zeefdruk/SMD-code 6G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Collectorstroom: 600mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Kosten): 29pF. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 800mA. Markering op de kast: *T2, P2T, T2T, W2T. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code P2T, T2T, W2T, complementaire transistor (paar) PMBT4401. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Kosten): 75pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 45V. Spec info: hFE 80...450. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Kosten): 45pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 45V. Spec info: hFE 240...600. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92AMMO, 60V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92AMMO. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. C(inch): 30pF. Kosten): 8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 75. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 30 ns. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 60V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2907A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-363, 50V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-363. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 6. Markering van de fabrikant: B*1. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 180 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: dubbele PNP-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: A6A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.24W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 1.5A, TO-92, TO-92, 25V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. C(inch): 11pF. Kosten): 1.5pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 160. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.28V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. BE-weerstand: 4. Kosten): 3pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Klasse B push-pull-bediening. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Aantal per doos: 1. Spec info: uitstekende hFE-lineariteit. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Kosten): 95pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Klasse B push-pull-bediening. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Aantal per doos: 1. Spec info: uitstekende hFE-lineariteit. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 170 MHz. Functie: Middelgrote eindversterker. Maximale hFE-versterking: 390. Minimale hFE-versterking: 82. Ic(puls): 3A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) STD1862

NPN-transistor, 0.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Conditionering: rol. Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 50. Ic(puls): 1A. Markering op de kast: N9260. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.6W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf (type): 150 ns. Type transistor: PNP. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Functie: snel schakelende hoogspanning, PNP-vermogenstransistor. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS