PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 30. Markering op de kast: 2T. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf(max): 30 ns. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 150V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 150V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2L. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 60V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2GM. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 80V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2GM. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 300V. BE-diode: NINCS. Kosten): 170pF. CE-diode: NINCS. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: Hoogspanningsversterker transistor (SMD -versie van de MPSA42 -transistor). Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Let op: 2D. Markering op de kast: 2D. Equivalenten: PMBTA92.215. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MMBTA42. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2D. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2D. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: A6A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.24W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 50V, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: A6E. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.24W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 300V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MPSA92. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92AMMO, 80V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92AMMO. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: NF-TR. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Spec info: complementaire transistor (paar) MPSA06. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MPSA56. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 125 MHz. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 5000. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MPSA42. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: hoogspanningstransistor. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. C(inch): 60pF. Kosten): 6pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. BE-diode: NINCS. C(inch): 4.5pF. Kosten): 10pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 75. Ic(puls): 30A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) NJW0281. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. BE-diode: NINCS. C(inch): 9pF. Kosten): 6pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30MHz. Functie: audio-eindversterker. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 75. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) NJW3281. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3P, 250V, 16A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3P. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Collectorstroom Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: NJW21193G. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 15A, 60V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2.5 MHz. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Let op: hFE 20...70. Let op: complementaire transistor (paar) NTE219. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3.3V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 5A, SOT-89, SOT89 (SC-62), 60V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT89 (SC-62). Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Kosten): 85pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 110 MHz. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 80. Ic(puls): 15A. Let op: PBSS4041NX. Markering op de kast: 6g. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Spec info: zeefdruk/SMD-code 6G. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf (type): 75 ns. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 60mV. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 300mV. Vebo: 5V

NPN-transistor, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Collectorstroom: 600mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. Kosten): 29pF. CE-diode: NINCS. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Hoge snelheidsschakelen. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 800mA. Markering op de kast: *T2, P2T, T2T, W2T. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code P2T, T2T, W2T, complementaire transistor (paar) PMBT4401. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Kosten): 75pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Spec info: hFE 80...450. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 45V

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Kosten): 45pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Spec info: hFE 240...600. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 45V

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92AMMO, 60V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92AMMO. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. C(inch): 30pF. Kosten): 8pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 75. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 30 ns. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226, 60V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2907A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C