PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, TO-220, 10A, TO-220AB, 60V. Behuizing: TO-220. Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Weerstand B: vermogenstransistor. BE-weerstand: -70V. C(inch): -10A. Kosten): 90W. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): +150°C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxial-Base . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE3055T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: voor hifi-audioversterkers en schakelregelaars. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 20. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxial-Base . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE3055T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE2955TG. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

NPN-transistor, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Collector-emitterspanning VCEO: -300V. Collectorstroom: -0.5A. Behuizing: TO-126. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE350. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 20.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 240. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE340

NPN-transistor, 0.5A, TO-225, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 0.5A. Behuizing (volgens datablad): TO-225. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). C(inch): 7pF. Kosten): 110pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 30. Equivalenten: KSE350. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vebo: 3V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE340. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-225. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Kosten): 30pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 30. Let op: kunststof behuizing. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 3V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJE340. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 300V, 500mA, -300V, -0.5A, TO-126. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Collector-emitterspanning VCEO: -300V. Collectorstroom: -0.5A. Behuizing: TO-126. Markering van de fabrikant: MJE350G. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 20W. Maximale frequentie: 10MHz. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, 400V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: PNP. Vcbo: 450V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, TO-220, 400V, 8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 400V. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE5852G. Maximale dissipatie Ptot [W]: 80W. Componentfamilie: hoogspanning PNP-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, -80V, -4A, TO-126. Collector-emitterspanning VCEO: -80V. Collectorstroom: -4A. Behuizing: TO-126. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Uitvoering: Darlington-transistor. Vermogen: 40W. Maximale frequentie: 1MHz

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Collector-emitterspanning Vceo: 260V. Kosten): 1.7pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: hFE 45(min). Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 45. Ic(puls): 25A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL3281A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO–3PBL. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Kosten): 500pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Maximale hFE-versterking: 75. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL21194. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 35 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 50. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon Power Bipolar Transistor. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Functie: Krachtige audio, lage harmonische vervorming. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL4281A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: Complementaire bipolaire vermogenstransistor. Productiedatum: 201446. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 50. Ic(puls): 25A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Technologie: Bipolaire vermogenstransistor. Spec info: complementaire transistor (paar) MJW3281A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 16A, TO-247, TO-247, 250V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Uitstekende versterkingslineariteit. Productiedatum: 2015/04. Maximale hFE-versterking: 80. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJW21196. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 60V, 800mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2F. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 40V, 200mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 40V. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 250 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor. Markering op de kast: 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225mW. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf(max): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 2A

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 40V, 600mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2T. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 30. Markering op de kast: 2T. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf(max): 30 ns. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 150V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 150V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2L. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 60V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2GM. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 80V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2GM. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Kosten): 170pF. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Let op: 2D. Markering op de kast: 2D. Equivalenten: PMBTA92.215. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MMBTA42. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2D. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 300V, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 300V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2D. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor