PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 2A, SANYO--PCP4, 25V. Collectorstroom: 2A. Behuizing (volgens datablad): SANYO--PCP4. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 5A. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Type transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Aantal aansluitingen: 7. Aantal per doos: 1. Spec info: 2SB1121 en SB05-05CP geïntegreerd in één koffer

NPN-transistor, 8A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 8A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 65 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Aantal aansluitingen: 3. Functie: hFE 5000. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) FN1016. CE-diode: ja

NPN-transistor, 3A, PCP4, 15V. Collectorstroom: 3A. Behuizing (volgens datablad): PCP4. Collector-emitterspanning Vceo: 15V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 100. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 6. Spec info: Transistor + diode block. CE-diode: ja

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 400V, 0.2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 400V. Collectorstroom Ic [A], max.: 0.2A. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FZT558. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Componentfamilie: hoogspanning PNP-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 30 v, 5.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Collectorstroom Ic [A], max.: 5.5A. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: FZT949. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V. Spec info: Zeer lage verzadigingsspanning

NPN-transistor. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 3A, 40V. Collectorstroom: 3A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Let op: hFE 100...400. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Type transistor: PNP. Spec info: TO-92

NPN-transistor, 3A, TO-126, 30 v, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 3A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 160...320. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Spec info: NIET-geïsoleerde behuizing

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: KSA642-O

NPN-transistor, 0.15A, 60V. Collectorstroom: 0.15A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: 9mm. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Samsung>> STB1277

NPN-transistor, 0.7A, 80V. Collectorstroom: 0.7A. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: NF/S. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Type transistor: PNP. Spec info: 9 mm hoogte. CE-diode: ja

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Kosten): 55pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 150V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) KSC2073. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 3L (AMMO). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Kosten): 2pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 600. Minimale hFE-versterking: 300. Markering op de kast: A992. Equivalenten: 2SC992. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) KSC1845. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Kosten): 35pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 9 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 150. Markering op de kast: B1366-G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon PNP Triple Diffused Type. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55°C tot +150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) KSD2012. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1A, 30 v. Collectorstroom: 1A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 110 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Type transistor: PNP. Spec info: SAMSUNG. CE-diode: ja

NPN-transistor, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 75. Let op: pin-out E, C, B. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Collectorstroom: 500mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Kosten): 6pF. Conditioneringseenheid: 2000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: hoogspanningstransistor. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PNP epitaxiale siliciumtransistor. Type transistor: PNP. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S. Type transistor: PNP. Spec info: 0504-000142. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: SW. Aantal aansluitingen: 3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: 47. BE-weerstand: 47. Kosten): 2.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: 12159-301-810. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.15A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: 10. BE-weerstand: 10. Kosten): 3.7pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: SWITCHING APPLICATION. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, 150V. Collectorstroom: 1.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Kosten): 50pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 100. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale vlakke PNP-transistor . Type transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( H ) IS, 120V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): TO-3P ( H ) IS. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kosten): 280pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: Krachtige audioversterker. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 55. Markering op de kast: B778. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) KTD998. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS