PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 75. Let op: pin-out E, C, B. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Collectorstroom: 500mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 300V. BE-diode: NINCS. Kosten): 6pF. CE-diode: NINCS. Conditioneringseenheid: 2000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: hoogspanningstransistor. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PNP epitaxiale siliciumtransistor. Type transistor: PNP. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S. Spec info: 0504-000142. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: SW. Aantal aansluitingen: 3. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: 47. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 47. Kosten): 2.5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S. Spec info: 12159-301-810. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.15A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: 10. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 10. Kosten): 3.7pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: SWITCHING APPLICATION. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1.5A, 150V. Collectorstroom: 1.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. BE-diode: NINCS. Kosten): 50pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 100. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale vlakke PNP-transistor . Type transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3P ( H ) IS. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. Kosten): 280pF. CE-diode: NINCS. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: Krachtige audioversterker. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 55. Markering op de kast: B778. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Spec info: complementaire transistor (paar) KTD998. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V, 30A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Collectorstroom: 30A. RoHS: ja. Let op: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ11016. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Minimale hFE-versterking: 1000

NPN-transistor, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Collectorstroom: 50A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204 ). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Kosten): 300pF. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Maximale hFE-versterking: 18000. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 100A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ11032. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, TO-204AA, 120V, 50A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ11033G. Maximale dissipatie Ptot [W]: 300W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

NPN-transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V. Collectorstroom: 20A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. RoHS: ja. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 70. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: vermogenstransistor. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 20A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15003. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. Kosten): 360pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.8 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 200V

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 0.8 MHz. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 10. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15015. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, TO-204AA, 120V, 15A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogspanning PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ15016G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 18 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. BE-diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15022. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 350V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. BE-diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Krachtige audio. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15022. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 250V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. BE-diode: NINCS. Kosten): 280pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Krachtige audio. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ15024. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 250V, 16A, PCB-solderen, TO-3, TO-204AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Collectorstroom Ic [A], max.: 16A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ15025G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogspanning PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, TO-204AA, 250V, 16A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Collectorstroom Ic [A], max.: 16A. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogspanning PNP-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ21193G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3 ( TO-204AA ). Collector-emitterspanning Vceo: 250V. BE-diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Maximale hFE-versterking: 75. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJ21196. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 70V. BE-diode: NINCS. Kosten): 4pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2.5 MHz. Functie: Schakel- en versterkertoepassingen. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N3055. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, TO-204AA, 60V, 15A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJ2955G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2.5 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 115W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), D-PAK, TO-252, 80V, 8A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-252. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: J45H11. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 90 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 20W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C