PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Collectorstroom: 25mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 350 MHz. Functie: HF- en IF-trappen in radio-ontvangers. Maximale hFE-versterking: 90. Minimale hFE-versterking: 30. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

NPN-transistor, 0.03A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Collectorstroom: 0.03A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Spec info: complementaire transistor (paar) BF471. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 50mA, 30 v. Collectorstroom: 50mA. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 50mA, 30 v. Collectorstroom: 50mA. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: VHF/UHF-V. Type transistor: PNP

NPN-transistor, -250V, -0.5A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: -250V. Collectorstroom: -0.5A. Behuizing: TO-92. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 0.8W

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. BE-diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 350V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Collectorstroom: 30mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 550 MHz. Functie: VHF-V. Minimale hFE-versterking: 25. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 35V. Vebo: 4 v

NPN-transistor, TO-92, TO-92. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Aantal per doos: 1. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

NPN-transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 25mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 700 MHz. Functie: VHF-oscillator. Minimale hFE-versterking: 30. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-89. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-243. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: DB. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 60 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.03A, SOT-39, SOT-39, 40V. Collectorstroom: 0.03A. Behuizing: SOT-39. Behuizing (volgens datablad): SOT-39. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 900 MHz. Functie: UHF-M/O. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP

NPN-transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. BE-diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Minimale hFE-versterking: 50. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: 1W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 20V, 25mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor. Aantal per doos: 1. Functie: UHF-V

NPN-transistor, 30mA, TO-50, TO-50, 40V. Collectorstroom: 30mA. Behuizing: TO-50. Behuizing (volgens datablad): TO-50. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 900 MHz. Functie: UHF-M/O. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.15W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 30mA, 20V. Collectorstroom: 30mA. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: UHF-V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, TO-264, 250V, 200mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-264. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 250V. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BFN37. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 12V. Collectorstroom Ic [A], max.: 35mA. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogfrequente PNP -transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: X1p. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 5GHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 150 Ohms. CE-diode: ja. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: hoge gelijkstroom, relaisdrivers, lampdrivers. Maximale hFE-versterking: 2000. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.25W. Spec info: complementaire transistor (paar) BSP50. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP62. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: hFE 50...300. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Spec info: zeefdruk/CMS-code T8. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Vcbo: 60V

NPN-transistor. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Functie: VHR758 EV

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Spec info: complementaire transistor (paar) CSD1133. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 70V

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 20A. Equivalenten: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Spec info: paar D44H11. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: D45H11G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 40 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C