PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, PCB-solderen, SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: SOT-93. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-93. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDW84D. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Aantal aansluitingen: 3. Functie: hFE 750 (@3V, 6A). Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BDW83D

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 12A, TO-220, TO-220AB, 100V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 12A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP Darlington-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDW94C. Maximale dissipatie Ptot [W]: 80W. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: complementaire transistor (paar) BDW93C. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

NPN-transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 33W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Functie: complementaire transistor (paar) BDW93CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Weerstand B: 10k Ohms. BE-weerstand: 150 Ohms. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Maximale hFE-versterking: 750. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. C(inch): ja. Kosten): -100V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: complementaire transistor (paar) BDX33C. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, TO-220, 100V, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDX34CG. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 50V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Conditionering: plastic buis. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Productiedatum: 2014/32. Minimale hFE-versterking: 750. Ic(puls): 12A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Complementaire Power Darlington-transistoren. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Weerstand B: Darlington-vermogenstransistor. BE-weerstand: Darlington-transistor. C(inch): -100V. Kosten): -8A. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: complementaire transistor (paar) BDX53C. Conditioneringseenheid: 50. Functie: audio-versterker. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 8A, TO-220, 160V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. BE-weerstand: R1 typ. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: Complementaire Power Darlington-transistoren. Minimale hFE-versterking: 750. Ic(puls): 12A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Type transistor: PNP. Vcbo: 160V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BDX53F. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 7 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Functie: hFE 1000. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BDX67C

NPN-transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 7 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Functie: hFE 1000. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BDX67C

NPN-transistor, 4A, 50V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Type transistor: PNP. Aantal per doos: 1

NPN-transistor. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 25mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 450 MHz. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 100mA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 830mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Type transistor: PNP. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BF420. CE-diode: ja

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 250V. Collectorstroom: 0.05A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Minimale hFE-versterking: 50. Ic(puls): 100A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BF422

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 25mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( SOT-54 ). Collector-emitterspanning Vceo: 40V. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BF450. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 350 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor. Spec info: feedback capacitance--0.45pF

NPN-transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Collectorstroom: 25mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 350 MHz. Functie: HF- en IF-trappen in radio-ontvangers. Maximale hFE-versterking: 90. Minimale hFE-versterking: 30. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.03A, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 0.03A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BF471

NPN-transistor, 50mA, 30 v. Collectorstroom: 50mA. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Halfgeleidermateriaal: silicium. Type transistor: PNP. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 50mA, 30 v. Collectorstroom: 50mA. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: VHF/UHF-V. Type transistor: PNP. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, -250V, -0.5A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: -250V. Collectorstroom: -0.5A. Behuizing: TO-92. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 0.8W

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Kosten): 1.6pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 350V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 6V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Collectorstroom: 30mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 550 MHz. Functie: VHF-V. Minimale hFE-versterking: 25. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 35V. Vebo: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, TO-92, TO-92. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 25mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 700 MHz. Functie: VHF-oscillator. Minimale hFE-versterking: 30. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1